Վ. Մ. Հարությունյանը ծնվել է 1940 թ. օգոստոսի 30-ին Երևանում, ծառայողի ընտանիքում: Մահացել է 2022 թ. հոկտեմբերի 11-ին:
1964 թ. գերազանց ավարտել է Կիևի պոլիտեխնիկական ինստիտուտի ռադիոէլեկտրոնիկայի ֆակուլտետը:
1965 -1988 թթ. աշխատել է ՀԽՍՀ ԳԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտում:
1969 թ. ավարտել է ՀԽՍՀ ԳԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտի ասպիրանտուրան:
1969-1972 թթ. ՀԽՍՀ ԳԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտի գիտքարտուղար:
1970 թ. ԵՊՀ – ում պաշտպանել է թեկնածուական ատենախոսություն «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ:
1972-1974 թթ. ՌՖԷԻ–ի կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի լաբորատորիայի վարիչ:
1974-1988 թթ. ՌՖԷԻ–ի կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի լաբորատորիայի վարիչ:
1974 թ. ստացել է ավագ գիտաշխատողի կոչում «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ:
1977 թ. Վիլնյուսի պետհամալսարանում պաշտպանել է դոկտորական ատենախոսություն «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ:
1977 թ. հրավիրվել է աշխատանքի ԵՊՀ որպես ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկայի ամբիոնի վարիչ և կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի պրոբլեմային լաբորատորիայի գիտական ղեկավար:
1977-1978 թթ. ընտրվել է ՀԽՍՀ ԳԱ ՌՖԷԻ կուսկազմակերպության առաջին քարտուղար:
1977-1978 թթ. ընտրվել է ՀԽՍՀ ԳԱ ՌՖԷԻ-ի կուսկազմակերպության առաջին քարտուղար:
1979 թ. շնորհվել է Ֆիզիկա-մաթեմատիկական գիտությունների դոկտորի գիտական աստիճան։
1981 թ. ստացել է պրոֆեսորի կոչում «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ:
1984 թ. եղել է ԵՊՀ և «Պոզիստոր» ԱՄ – ի ճյուղային լաբորատորիայի գիտական ղեկավարը:
1985-1988 թթ. ԵՊՀ –ի կուսկոմիտեի անդամ և գիտական աշխատանքների հանձնաժողովի նախագահ, ԵՊՀ-ի արհկոմի անդամ:
1990 թ. ընտրվել է ՀԳԱԱ թղթակից անդամ:
1992-2022 թթ. «ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. ֆիզիկա» ամսագրի գլխավոր խմբագիր:
1994 թ. ընտրվել է Ռուսաստանի բնական գիտությունների ակադեմիայի իսկական անդամ:
1995 թ. ընտրվել է Նյու Յորքի ակադեմիայի իսկական անդամ և «Արարատ» միջազգային ակադեմիայի (Ֆրանսիա) թղթակից–անդամ:
1995 թ. հրատարակվել է նրա «Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ» դասագիրքը:
1996 թ. ընտրվել է ՀՀ ԳԱԱ ակադեմիկոս:
1996 թ. արժանացել է «Անանիա Շիրակացի» պետական պարգևի:
2007- թ. Կիսահաղորդչային սարքերի և նանոտեխնալոգիաների կենտրոնի գիտական ղեկավար:
2007 թ. արժանացել է ՀՀ նախագահի մրցանակի:
2009 թ. արժանացել է ՀՀ Վարչապետի պարգևի:
2019 թ. պարգևատրվել է Ջրածնային էներգիայի միջազգային ասոցիացիայի ոսկե մեդալով:

Վլադիմիր Միքայելի Հարությունյանը ծնվել է 1940 թ.: 1964 թ. գերազանց ավարտել է Կիևի պոլիտեխնիկական ինստիտուտի ռադիոէլեկտրոնիկայի ֆակուլտետը, իսկ 1969 թ.՝ ՀԽՍՀ ԳԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտի ասպիրանտուրան:

Վ. Մ. Հարությունյանը 1965 թ. մինչև 1988 թ. աշխատել է ՀԽՍՀ ԳԱ ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտում, ընդ որում 14 տարի, կազմակերպման օրվանից (1974 թ.), որպես ՌՖԷԻ – ի կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի լաբորատորիայի վարիչ, 1969-1972 թթ.՝ որպես ինստիտուտի գիտքարտուղար:

1970 թ. ԵՊՀ – ում պաշտպանել է թեկնածուական, իսկ 1977 թ. Վիլնյուսի պետհամալսարանում՝ դոկտորական ատենախոսություններ «Կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկա» մասնագիտությամբ: 1974 թ. ստացել է ավագ գիտաշխատողի, իսկ 1981 թ.՝ պրոֆեսորի կոչումները նույն մասնագիտությամբ:

1977 թ. դեկտեմբերին հրավիրվել է աշխատանքի ԵՊՀ որպես ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի կիսահաղորդիչների և դիէլեկտրիկների ֆիզիկայի ամբիոնի վարիչ և կիսահաղորդչային նյութերի և սարքերի պրոբլեմային լաբորատորիայի գիտական ղեկավար:

1977-1978 թթ. ընտրվել է ՀԽՍՀ ԳԱ ՌՖԷԻ-ի կուսկազմակերպության առաջին քարտուղար: Կազմակերպման օրվանից (1984 թ.) եղել է ԵՊՀ և «Պոզիստոր» ԱՄ – ի ճյուղային լաբորատորիայի գիտական ղեկավարը, 1985-1988 թթ. ՝ ԵՊՀ –ի կուսկոմիտեի անդամ և գիտական աշխատանքների հանձնաժողովի նախագահ, ԵՊՀ-ի արհկոմի անդամ: Նրա գործունեության անբաժան մասն է կազմել ակտիվ հասարակական-քաղաքական աշխատանքը: Նա եղել է ԳԱ-ի, ԳՏՊԿ-ի և ԽՍՀՄ Պետկրթկոմ-ի գիտական և էքսպերտային խորհուրդների 7 տարբեր մասնաճյուղերի անդամ, ՀԽՍՀ Ժողկրթմինիստրության էներգետիկայի, էլեկտրատեխնիկայի և ռադիոէլեկտրոնիկայի մասնաճյուղերի նախագահը, հանրապետության էներգետիկայի և էլեկտրատեխնիկայի ԳՏԸ վարչության անդամ, մի շարք գիտական խորհուրդների անդամ, ԵՊՀ ռադիոֆիզիկայի ֆակուլտետի կուսբյուրոյի անդամ:

ԵՊՀ –ում աշխատելու տարիներին նրա կողմից կազմակերպվել են միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքների, կիսահաղորդչային սարքերի ֆիզիկայի, կիսահաղորդչային ԳԲՀ – էլեկտրոնիկայի, օպտոէլեկտրոնիկայի, կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի գծով հատուկ դասընթացներ ԵՊՀ – ի «ռադիոֆիզիկա» մասնագիտությամբ սովորող ուսանողների, ինչպես նաև ԵՊՀ – ի որակավորման բարձրացման ֆակուլտետի ունկնդիրների համար:

1987 թ. սկսվել է «էլեկտրոնային տեխնիկայի նյութերի և բաղկացուցիչ մասերի ֆիզիկա և տեխնոլոգիա» մասնագիտության գծով մասնագետների պատրաստումը: Վ. Մ. Հարությունյանը մանկավարժական գործունեությունը զուգորդել է ինտենսիվ գիտական աշխատանքի հետ: Նա 3 մենագրության, 6 ակնարկի, 10 գրքի, ուսումնական ձեռնարկների և պրեպրինտների, ինչպես նաև գիտական ամսագրերում տպագրված 182 հոդվածի հեղինակ է: Վ. Մ. Հարությունյանը ակտիվորեն մասնակցել է բազմաթիվ գիտական համաժողովների աշխատանքներին, որոնց ամփոփիչ նյութերում տպագրվել են նրա 33 զեկույցներն ու զեկուցումների 100 – ից ավելի դրույթները:

1990 թ. ՀԳԱԱ թղթակից անդամ ընտրվելուց հետո տպագրել է 1 դասագիրք, 2 գիրք, 2 ակնարկ, 48 հոդված և զեկույց, ստացել է ԽՍՀՄ –ի հեղինակային վկայական, Ռուսաստանի 2 և ԱՄՆ – ի 1 պատենտներ: Այդ ժամանակաշրջանում Վ. Մ. Հարությունյանի կողմից տպագրվել է 8 հոդված, 1 դասագիրք, 2 գիրք, 2 ակնարկ առանց համահեղինակների:

Նա արժանիորեն ներկայացրել է խորհրդային գիտությունը արտասահմանում, որտեղ անգլերեն լեզվով հրատարակվել են նրա բազմաթիվ հոդվածներն ու զեկուցումները, թարգմանվել են 70-ից ավելի հոդվածները:

1994 թ. ընտրվել է Ռուսաստանի բնական գիտությունների ակադեմիայի իսկական անդամ, 1995 թ.՝ Նյու Յորքի ակադեմիայի իսկական անդամ և «Արարատ» միջազգային ակադեմիայի (Ֆրանսիա) թղթակից – անդամ: Նա հետևողականորեն աշխատել է հայոց լեզվով մասնագիտական ուսումնական գրականության նախապատրաստման և հրատարակման ուղղությամբ: 1995 թ. հրատարակվել է նրա «Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ» դասագիրքը: 1996 թ. Վ. Մ. Հարությունյանը ընտրվել էր ՀՀ ԳԱԱ ակադեմիկոս: Նա ընտրվել է նաև ՀՀ ճարտարագիտական ակադեմիայի և ճարտարագիտական միջազգային ակադեմիայի իսկական անդամ, ՀՀ ԳԱԱ ֆիզիկայի և աստղաֆիզիկայի բաժանմունքի բյուրոյի և Գիտությունների ակադեմիայի միջազգային ասոցիացիայի «Ֆունկցիոնալ նյութեր էլեկտրոնիկայի համար» գիտական խորհրդի անդամ: Վ. Հարությունյանը հանրապետության մի շարք գիտական և փորձագիտական խորհուրդների և ԽՍՀՄ գիտական խորհուրդների անդամ էր, երկար տարիներ եղել էր ԵՊՀ և ՀՊՃՀ հատուկ խորհուրդների անդամ: 1996 թ. արժանացել «Անանիա Շիրակացի» պետական պարգևի, 2007 թ.՝ ՀՀ նախագահի մրցանակի, 2009 թ.՝ ՀՀ վարչապետի պարգևի, Հայաստանի կրթության և գիտության նախարարության, Հայաստանի Ճարտարագիտական Ակադեմիայի, Երևանի և Օդեսայի համալսարանների ոսկե մեդալների, նաև՝ «2009 Ոսկե մեդալ Հայաստանի համար» (ԱՄՆ), «Համաշխարհային գիտության մեջ ավանդի համար» (ՌԴ.), «ArmTech’09» (ԱՄՆ), իսկ 2019 թ. պարգևատրվել է Ջրածնային էներգիայի միջազգային ասոցիացիայի ոսկե մեդալով:

Վ. Մ. Հարությունյանը եղել է միջազգային «Արեգակնային տարրեր» (Շվեյցարիա) ամսագրի խմբագրական կոլեգիայի անդամ և ջրածնային էներգետիկայի գծով միջազգային ամսագրի գրախոս, ՀԳԱԱ-ի վառելիքա-էներգետիկ հանձնաժողովի նախագահ, «ՀԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա» ամսագրի գլխավոր խմբագիր, ՀՀ արդյունաբերության նախարարության գիտատեխնիկական խորհրդի նախագահի տեղակալ, ԵՊՀ-ի գրադարանային խորհրդի նախագահ, «ԵՊՀ գիտական տեղեկագրեր» ամսագրի խմբագրության անդամ, Միջազգային ինժեներական ակադեմիայի անդամ, Journal Alternative Energetics and Ecology ամսագրի գիտական խորհրդի անդամ, «Հայկական բանակ» ամսագրի գիտական խորհրդի անդամ, «Nanomedicine, Nanotechnology and Nanomaterials» միջազգային ամսագրի խմբագիրներից և Ռուսաստանում, Ֆրանսիայում, Կանադայում, Սինգապուրում հրատարակվող 6 ամսագրերի խմբագրական խորհուրդների անդամ: 2002 թ. նրա խմբագրութեամբ հրատարակվել է «Armenian journal of physics» էլեկտրոնային ամսագիրը:

Համալսարանում Վ. Մ. Հարությունյանի գործունեության ընթացքում ամբիոնի և լաբորատորիայի աշխատակիցների կողմից պաշտպանվել են 6 դոկտորական և մոտ 30 թեկնածուական ատենախոսություն: Նա եղել է 19 թեկնածուական ատենախոսության ղեկավար և 3 պաշտպանված դոկտորական ատենախոսության խորհրդատու:

Նպատակային ասպիրանտուրայի միջոցով Վ. Մ. Հարությունյանի կողմից պատրաստվել են բարձրորակ կադրեր հանրապետության հիմնարկ-ձեռնարկությունների համար: Նրա աշակերտների և գործընկերների շրջանակներում կան ՀՀ ԳԱԱ արտասահմանյան անդամ և ՀՀ նախագահր մրցանակի 7 դափնեկիր: Նա բազմիցս հանդես է եկել որպես պաշտոնական ընդդիմախոս երկրի տարբեր քաղաքներում, ակտիվորեն մասնակցել է ԵՊՀ-ի ԳԱ-ի և ԵրՊի-ի մասնագիտացված խորհուրդների աշխատանքներին:

Պրոֆեսոր Վ. Մ. Հարությունյանը ճանաչված մասնագետ է ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի, կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և տեխնիկայի, արեգակնային էներգիայի փոխակերպման բնագավառներում:

Նա մշակել է արգելված գոտու բարդ կառուցվածքով կիսահաղորդիչների գեներացիոն-ռեկոմբինացիոն և ինժեկցիոն պրոցեսների ընդհանրացված տեսությունը: Նրա կողմից առաջարկվել են S-տեսակի բացասական դիմադրության տեղամասի, կրկնակի ու հեղեղային ինժեկցիայի պայմաններում կիսահաղորդիչներում առաջացող մի շարք անոմալ կախվածությունների ձևավորման մեխանիզմները: Վ. Մ. Հարությունյանը զգալի ներդրում ունի ուժեղ դաշտային և կոնցենտրացիոն էֆեկտների տեսության մեջ, ԳԲՀ – դիապազոնի ռադիոֆիզիկայի այնպիսի հեռանկարային սարքերի ֆիզիկայում, ինչպիսիք են Գանի, ինժեկցիոն-թռիչքային և հեղեղային-թռիչքային դիոդները: Այդ հետազոտությունները, մասնավորապես, թույլ տվեցին հասկանալ Գանի դիոդներից լազերային և ռեկոմբինացիոն ճառագայթման իրականացման պայմանները, ԳԲՀ-տատանումների կոհերենտության ժամանակի կառավարման, այդպիսի համակարգերում հզորության, արդյունավետության բարձրացման և աղմուկների մակարդակի ցածրացման ուղիները:

Վ. Մ. Հարությունյանը լուծել է վիճակագրական ռադիոֆիզիկայի մի շարք բարդ խնդիրներ՝ գործնական առումով շատ կարևոր դեպքերի՝ բազմալիցք կենտրոններով ինժեկցիոն կառուցվածքների և թակարդներ պարունակող ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների աղմուկների տեսության բնագավառում: Նրա կողմից բացահայտվել է կոմպենսացված կիսահաղորդիչներում ի հայտ եկող մի շարք էֆեկտների (ֆոտո հոսանքների ինֆրակարմիր մարման, բացասական ֆոտոդիմադրության և այլն) բնույթը, առաջարկված են լուսավորման, մագնիսական դաշտի և այլ արտաքին ազդեցությունների նկատմամբ դրանց զգայնության հետագա բարձրացման մեխանիզմներ:

Աշխատանքների մի կարևոր շարք ներկայացնում է նրա հետազոտությունների արդյունքները սահուն և կտրուկ հետերոանցումների հիման վրա պատրաստված ինֆրակարմիր միջակայքի ֆոտոընդունիչներում և ֆոտոկատոդներում ընթացող ֆիզիկական երևույթների մասին:

Վ. Մ. Հարությունյանը զգալի ներդրում ունի արեգակնային էներգիան քիմիական կամ էլեկտրական էներգիայի փոխակերպման հիմնահարցի լուծման գործում: Նրա տեսական և փորձնական աշխատանքներից գրականության մեջ կատարված բազմաթիվ մեջբերումները վկայում են նրա կողմից առաջարկվող մեխանիզմների և ստացված արդյունքների ճշմարտացիությունն ու նորությունը:

Վ. Մ. Հարությունյանի և իր աշխատակիցների կողմից կատարված հիմնարար հետազոտությունների գործնական արդյունք է հանդիսացել նոր սարքերի, սարքավորումների, կայանքների և տեխնոլոգիաների ստեղծումը, որոնց մեծ մասը պաշտպանված են հեղինակային 27 վկայականներով: Դրանց թվին են պատկանում ինֆրակարմիր և ուլտրամանուշակագույն միջակայքերի ֆոտոընդունիչները, ֆոտոփոխակերպիչները, զանազան քիմիական սենսորները և այլն: Մշակված սարքերի չափման և տեխնոլոգիայի մեթոդների որոշ մասի ներդրումը իրականացվել է «Պոզիստոր» ԱՄ –ում, ՀԽՍՀ ԳԱ ՌՖԷԻ ՀԿԲ-ում, ՀԱՀԳՀԻ ՀԲ-ում, Լենինգրադի, Արթիկի և այլ քաղաքների ձեռնարկություններում: Նրա ղեկավարած ամբիոնում և լաբորատորիայում բարձր մակարդակով կատարվել են կարևոր հիմնարար և կիրառական հետազոտություններ, մեծ ծավալի տնտպայմանագրային աշխատանքներ, համատեղ հետազոտություններ Ռուսաստանի, Ուկրաինայի, ԱՄՆ-ի, Գերմանիայի, Հունգարիայի գիտնականների հետ: Նրա գործունեության մի մասը ֆինանսավորվել է Սորոսի միջազգային գիտական հիմնադրամի և Ամերիկյան ֆիզիկական ընկերության կողմից: Նա ԵՊՀ եվրոպական մի շարք լաբորատորիաների հետ միասին աշխատել է “NEXUS” ծրագրի իրականացման վրա: ԵՊՀ-ում աշխատանքները կատարվել են համաձայն ՀԿԿ Կենտկոմի և հանրապետության Մինիստրների խորհրդի, ԳՏՊԿ-ի, ԽՍՀՄ ԳԱ, ԲՄՄԿ Մինիստրության որոշումներով, այդ թվում ԳՏԾ 0.01.08-ի շրջանակներում: Վ. Մ. Հարությունյանը ակտիվ մասնակցություն է ունեցել համամիութենական բազմաթիվ գիտաժողովների աշխատանքներին: Միայն Հայաստանում նրա ղեկավարությամբ կազմակերպվել են 6 Համամիութենական գիտաժողովներ: Բացի այդ, նա բազմիցս ներգրավվել է Համամիութենական այլ գիտաժողովների անցկացման կազմկոմիտեներում:

Նա բազմիցս գործուղվել է ԱՄՆ, Մեծ Բրիտանիա, Ճապոնիա, Գերմանիա, Իտալիա, Ֆրանսիա, Հունաստան, Ռումինիա և այլ երկրներ, մասնակցել ու ելույթ է ունեցել զանազան միջազգային կոնֆերանսներում:

Ակադեմիկոս Վ. Հարությունյանի մեծ մարդու հիշատակը վառ կմնա գործընկերների, գիտական հասարակության, աշակերտների և նրան ճանաչող յուրաքանչյուրի սրտում:

О поляризации электронов при упругом рассеянии на ядрах //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1961.- Т. 14, № 6.- С. 93-98.


Զվարթնոցի պալատն ու հարակից շենքերը //ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Հասարակական գիտություններ.- 1962.- № 12.- Էջ 41-60:

О реакции π+p→n+e+ + eˉ /В. М. Арутюнян, Э. В. Чубарян //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1962.- Т. 15, № 4.- С. 81-84.

О фоторождении π- и К-мезонов //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1962.- Т. 15, № 3.- С. 85-98.


Прохождение электромагнитного излучения через резонансную среду //Доклады АН АрмССР.- 1966.- Т. 43, № 3.- С. 129-132.

Уравнения резонансной среды /В. М. Арутюнян, М. Л. Тер-Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1966.- Т. 43, № 2.- С. 91-95.

Электромагнитные колебания в резонансной среде /Известия АН АрмССР. Физика.- 1966.- Т. 1, № 2.- С. 111-120.


Динамика мод в закрытом генераторе /В. М. Арутюнян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1967.- Т. 44, № 4.- С. 167-170.


Քվանտային մեխանիկա: Դասախոսություններ: Պրակ 1 /Վ. Մ. Հարությունյան, Գ. Ս. Սահակյան, Է. Վ. Չուբարյան.- Երևան: Լույս, 1968.- 220 Էջ:

Влияние уровней прилипания на вольтамперную характеристику диода /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1968.- Т. 3, № 3.- С. 200-210.

К вопросу о прохождении тока через полупроводник, содержащий глубокие уровни /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Доклады АН АрмССР.- 1968.- Т. 46, № 5.- С. 228-231.


О влиянии ударной ионизации у тылового контакта на вольт-амперную характеристику длинных диодов /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы II Республиканской конференции молодых научных работников Армении, посвященной 50-летию Ленинского комсомола14-16 октября, 1968.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1969.- С. 301-302.

Влияние ударной ионизации уровней прилипания на вольт-амперную характеристику диода, работающего в режиме двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Физика и техника полупроводников.- Ленинград.- 1969.- Т. 3, вып. 7.

К вопросу двойной и лавинной инжекции в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 2.- С. 71-82.

К вопросу о лавинной инжекции в компенсированных полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 5.- С. 307-317.

Отрицательное сопротивление в структурах //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 5.- С. 318-328.

Усредненные уравнения для интенсивности электромагнитных волн в среде, учитывающие интерференцию /В. М. Арутюнян, Ю. П. Малакян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 48, № 4.- С. 203-207.

Учет когерентности при прохождении импульса излучения через фототропную среду с обратной связью /В. М. Арутюнян, В. О. Чалтыкян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 48, № 3.- С. 129-133.

Уширение спектра излучения при прохождении через резонансную среду /В. М. Арутюнян, Н. Н. Бадалян, В. А. Ирадян, М. Е. Мовсесян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 49, № 1.- С. 28-32.


Прохождение тока через компенсированные полупроводники /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы III Республиканской научной конференции молодых ученых Армении, посвященной 100-летию со дня пождения В. И. Ленина.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1970.- С. 82-83.

Эмиссионный механизм образования участка отрицательного сопротивления на статической вольт-амперной характеристике диодов /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы III Республиканской научной конференции молодых ученых Армении, посвященной 100-летию со дня пождения В. И. Ленина.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1970.- С. 83.

Эффекты радиационного затухания в поле интенсивной плоской волны /В. М. Арутюнян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1970.- Т. 50, № 2.- С. 98-101.


Влияние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян //Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов.- Тбилиси: Изд. Мецниереба, 1971.- С. 50-51.

Влияние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян //Материалы IV Республиканской научной конференции молодых ученых работников, посвященной 50-летию Ленинского комсомола Армении, апрель, 1971.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1971.

Отражение электронов от плоской электромагнитной волны в среде /В. М. Арутюнян, Г. К. Аветисян //Доклады АН АрмССР.- 1971.- Т. 52, № 4.- С. 221-223.

Статические и импульсные характеристики симметричных структур на основе кремния, компенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов.- Тбилиси: Изд. Мецниереба, 1971.- С. 49-50.

Статические и импульсные характеристики симметричных структур на основе кремния, компенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Материалы IV Республиканской научной конференции молодых ученых работников, посвященной 50-летию Ленинского комсомола Армении, апрель, 1971.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1971.- С. 194-195.

Формирование участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике p+nn+ структур /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Р. С. Барсегян //Доклады АН АрмССР.- 1971.- Т. 53, № 4.- С. 218-223.


К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания: Материалы Совещания по глубоким центрам в полупроводников /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.- Одесса: Изд. Одесского ГУ, 1972.

Влиянние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Р. С. Барсегян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1972.- Т. 7, № 1.- С. 55-63.

Электрические свойства структур, изготовленных на основе кремния, перекомпенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Физика и техника полупроводников.- Ленинград.- 1972.- Т. 6, вып. 4.


Умножение тока и сопутствующие ему явления при движении домена сильного электрическогополя в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1973.- 64 с .

Физика двойного срыва в приборах на основе компенсированных полупроводников //Материалы Совещания молодых ученых Армении.- Ереван: Изд. Ер. физ. инст., 1973.

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1973.- Т. 8, № 6.- С. 429-437.

Некоторые исследования кремниевых диодов с примесью цинка как элементов оптронной пары /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. В. Оганесян //Доклады АН АрмССР.- 1973.- Т. 57, № 3.- С. 152-157.


Հայ ժողովրդի պատմություն: Հտ. 5.- Երևան: ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ., 1974.- Էջ 647-658.- Ճարտարապետություն:

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы совещания.- Ереван, 1974.

О возникновении на вольт-амперной характеристике диодов Ганна участка отрицательного сопротивления S - типа /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы докладов I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

О возникновении на вольт - амперной характеристике диодов Ганна участка отрицательного сопротивления S - типа /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Ударная ионизация в движущемся домене сильного электрического поля и сопутствующие ей процессы в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы II симпозиума по физике плазмы и эл. неуст. в твердых телах.- Вильнюс: Изд. ИФП АН Лит.ССР.- 1974.

Умножение носителей заряда в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы докладов I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Умножение носителей заряда в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы совещания.- Ереван, 1974.

Физ явления в p-n переходах в полупроводниках: Сборник.- Томск: Изд. Томск. ГУ, 1974.- Прохождение тока через симметричные двухэлектродные структуры /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.

Двойная инжекция в кремний, компенсированный цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 6.- С. 484-497.

Двойная инжекция в полупроводниках, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 4.- С. 316-321.

Двойная инжекция в полупроводниках с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 3.- С. 197-207.

К теории эффекта Ганна в сильно-легированных полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Доклады АН АрмССР.- 1974.- Т. 59, № 1.- С. 32-38.

Умножение ток Резонансные эффекты при движении заряженной частицы в поле плоской электромагнитной волны и постоянном магнитном поле в среде /В. М. Арутюнян, Г. К. Аветисян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 2.- С. 110-119.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия ВУЗ-ов СССР. Радиоэлектроника.- 1974.- Т. 17, № 11.

Current multiplication and related phenomena in the process of strong electric field domain motion in Gunn diodes: Panstwowe Way dawn. Naukowe /V. M. Aroutiounyan, G. M. Avakyants //Mikrofalowa elektronica ciala stalego. Cz. 1.- Warszawa, 1974.


Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов ганна, инжекционно-пролетных диодов ИS-фото-приемников инфракрасного диапазона /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, А. Г. Варосян, Ф. В. Гаспарян.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1975.- 96 с.

Влияние полевой зависимости коэффициента диффузии электронов на параметры симметричного домена в диодах Ганна из сильнолегированного арсенида галлия /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Труды III Совещания по GaAs.- Ереван, 1975.

К теории двойной инжекции в полупроводниках, компенсированный примесью, создающей глубокий акцепторный уровень в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1975.- Вып. 8.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов в режиме прокола при малом уровне инжекции /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XVIII научной конференции профессорско-преподавательского состава ВУЗ-ов Закавказских республик.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1975.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов при большом уровне инжекции /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XVIII научной конференции ппрофессорско-преподавательского состава ВУЗ-ов Закавказских республик.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1975.

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды III совещания по GaAs.- Томск: Изд. Томского ГУ, 1975.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды III Совещ. по GaAs.- Томск: Изд. Томского ун-та., 1975.

Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 4.- С. 283-290.

Импульсные характеристики S-диодов из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Э. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 1.- С. 43-49.

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 2.- С. 115-121.

Поведение атома в резонансном поле встречных волн /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян //Доклады АН АрмССР.- 1975.- Т. 60, № 5.- С. 275-278.

Примесная фотопроводимость в кремнии, компенсированного кобальтом /В. М. Арутюнян, И. А. Саркисян //Физика и технология полупроводников.- 1975.- Т. 9, вып. 7.- Переведен на английский язык.

Скорость домена в условиях умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 3.- С. 189-195.

Investigation of Zinc Doped Silicon p+nn+ structures as Light-sensitive Devices //Electron Technology.- Warszawa.- 1975.- Vol 8, N 3/4.


Հայ ժողովրդի պատմություն: Հտ. 3.- Երևան: ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ., 1976.- Էջ 366-395.- Ճարտարապետություն:

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов II конференции молодых ученых Армении.- Ереван, 1976.

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Труды II Всесоюзной конференции по фотометрии и ее метрологическому обеспечению.- Москва: Изд. ВНИИОФИ, 1976.

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 2, № 6.- С. 449-457.

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов республиканского совещания "Проблема теории чувствит. электронных и электромехан. устройств и систем.- Владимирск: Изд. Владимирск. ПИ., 1976.

Вынужденные дифракционные эффекты на щели в непрозрачном экране /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян.- Ереван, 1976.- 10 с.

Генерационные и шумовые характеристики S - фотоприемников из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Н. П. Гарбар, Н. П. Лукьяничкова //Труды II Всесоюзной конференции по фотометрии и ее метрологическому обеспечению.- Москва: Изд. ВНИИОФИ, 1976.

Спектрально-угловое распределение резонансного ВЧПР в парах калия /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, Г. М. Арзуманян, Т. Э. Меликсетян.- Ереван, 1976.- 26 с.

О возможности генерации ультрафиолетового излучения в парах щелочных металлов при двухфотонной оптической накачке /В. М. Арутюнян, Э. Г. Канецян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 3.- С. 234-237.

Параметрическое взаимодействие двух волн с учетом угловой структуры рассеянного излучения /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 6.- С. 427-435.

Разбиение импульсов в условиях двухфотонного резонанса /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 1.- С. 27-33.

Средняя по времени вольт-амперная характериситика диодов Ганна при ударной ионизации и движущемся домене /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Радиотехника и электроника.- Москва.- 1976.- Т. 21, № 9.

Стимулированное и рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Материалы совещании ПО "Позистор".- Ереван, 1976.

Усилитель и преобразователь света (квантов) /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1975.- Вып. II.


Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках.- Ереван: Изд. АН Арм. ССР, 1977.- 326 с.

Исследования по генерационно-рекомбинационным эффектам и двойной инжекции в полупрводниках со сложной зонной схемой: Диссертация, предст. на соиск. уч. степ. д. ф.- м. н. Автореферат к ней (28 с.).- Вильнюс: Вильнюсский госуниверситет, 1977.- 381 с.

Отчет о командировке в Великобританию.- Москва: Изд. ВИНИТИ, 1977.- 16 с.

Стимулированное и рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Тезисы докладов III симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс: Изд. ИФП АН ЛитССР.- 1977.

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 2.- С. 123-128.

Влияние ударной ионизации глубоких уровней на среднюю по времени вольт-амперную характеристику диодов Ганна //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 1.- С. 48-53.

Вынужденные дифракционные эффекты на щели в непрозрачном экране /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 6.- С. 443-448.

Высокочувствительный инфракрасный радиометр /В. М. Арутюнян, Э. Г. Мирзабекян, Ю. А. Абрамян, З. Н. Адамян, Р. Г. Симонян //Доклады АН АрмССР.- 1977.- Т. 64, № 5.- С. 285-290.

К теории доменной электрической неустойчивости в двухдолинных полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 1.- С. 41-47.

Спектрально-угловое распределение резонансного ВЧПР в трехуровневой среде /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, Г. М. Арзуманян, Т. Э. Меликсетян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 5.- С. 338-346.

Условие инверсии населенностей в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Физика и технология полупроводников.- 1977.- Т. II, № 2.

The influence of capture of the injected current carriers on the characteristics of BARITT diodes /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan //Solid - State Electronics.- Oxford - New York: Pergamon Press.- 1977.- Vol. 20, N 5.


Авакьянц Г. М. Физические принципы проектирования мощных транзисторов и программы их машинного расчета /Отв. ред. В.М. Арутюнян.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1978.- 240 с.

Анализ работы инжекционно-пролетных БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания на большом сигнале /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XXV научно-технической конференции ЕрПИ.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1978.

Измерение поляризации света при однофотонном резонансе /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц.- Ереван, 1978.- 22 с.

К теории двойной инжекции в GaAs, компенсированный железом /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Арсенид галлия: Сборник.- Томск: Изд. Томск. ГУ, 1978.

Малосигнальные характеристики электронно-дырочной плазмы, инжектированной в базу "длинных" p+nn+ - структур /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Материалы IX Всесоюзной совещании по теории полупроводников.- Тбилиси: Изд. Тбил. ГУ, 1978.

Влияние захвата на ловушки инжектированных в пролетное пространство носителей заряда на характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1978.- Т. 13, № 3.- С. 189-194.

Инерционные эффекты в БАРИТТ- диодах с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия ВУЗ-ов Литвы. Радиоэлектроника.- Вильнюс: Изд. Высш. школа.- 1978.

О значении тимуса в противобруцеллезном иммунитете /В. М. Арутюнян, М. Г. Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1978.- Т. 66, № 1.- С. 61-64.

Скорость генерации электронно-дырочных пар и время нарушениякогерентностиколебаний при ударной ионизации в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1978.- Т. 13, № 5.- С. 371-375.

Тиреотропная функция гипофиза при бруцеллезе /В. М. Арутюнян, М. Г. Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1978.- Т. 67, № 3.- С. 184-187.

Impledance of p+nn+ structures based on semiconductors compensated by deep double ionized centre /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan //Akademie Verlag DDR Berlin. Physica Status Solidi(a).- 1978.- Vol 49, N 2.


Индуцированная оптическая анизотропия газа в поле лазерного излучения /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1979.- Т. 14, № 2.- С. 87 -93.

Исследование влияния содержания ниобия в фотоэлектродах из поликристаллической двуокиси титана на фотолиз воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян //Ученые записки ЕГУ.- 1979.- Вып. 1.- С. 63-70.

Лавинный фотодиод /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //АС № 784653. Приоритет от 16.07.1979 г. Не подл. опублик.

Рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1979.- Вып. 15.

Фотоприемники на основе симметричных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян, З. Н. Адамян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Киев: Изд. Наукова думка, 1979.

Исследование индуцированной оптической анизотропии в парах натрия /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян, А. В. Карменян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1979.- Т. 14, № 2.- С. 123-126.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Радиотехника и электроника.- 1979.- Т. 24, № 5.

Шумовые характеристики БАРИТТ - диодов с ловушками /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия ВУЗ-ов Литвы. Радиоэлектроника.- 1979.

The noise characteristics of BARITT diodes with traps /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan //IEE Gr. Britain London. Solid-State and Electron Devices.- 1979.- Vol. 3, N 5.


Анализ работы инжекционно-пролетных БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания на большом сигнале /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1980.- № 2.

Влияние градиента концентрации глубоких центров на свойства S - фотоприемников /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы I республиканской научно-технической конференции "Оптические системы связи".- Ереван, 1980 г.

Ударная ионизация в варизонных полупроводниках /В. М. Арутюнян, С. Г. Петросян //Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс, 1980.

Шумовые свойства БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1980.- Вып. 4.

Влияние степени восстановления полупроводникового фотоэлектрода из двуокиси титана на эффективность фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян, А. А. Погосян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1980.- № 6.- С. 11-17.

Импеданс p+nn+ структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР.- Физика.- 1980.- Т. 15, № 4.- С. 274-279.

Исследование фотолиза воды с фотоэлектродами из области гомогенности TiO /В. М. Арутюнян, В. М. Аракелян, Р. С. Акопян, А. О. Аракелян, Р. С. Вартанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 3.- С. 221-224.

Лавинный фотодиод /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //АС № 854213. Приоритет от 18.03.1980 г. Не подл. опублик.

Некоторые особенности лавинного умножения в варизонных полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //Письма в журнал технической физики.- 1980.- Т. 6, № 14.

Преобразование солнечной энергии методом фотолиза воды с помощью полупроводниковых фотоэлектродов на основе ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, А. О. Аракелян, А. Л. Маргарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 6.- С. 438-443.

Теория квазиволноводной генерации активного слоя /В. М. Арутюнян, Г. П. Джотян, А. В. Карменян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 5.- С. 379-401.

Ударная ионизация в варизонной nip структуре /В. М. Арутюнян, С. Г. Петросян //Физика и технология полупроводников.- 1980.- Т. 14, вып. 10.


Основы микроэлектроники: Курс лекций: Ч. 1.- Ереван: ЕГУ, 1981.- 95 с.

Влияние степени восстановления рутилового фотоэлектрода на эффективность преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, Р. С. Вартанян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 149-150.

Координатный фотоприемник /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, С. Г. Петросян, А. Е. Хачатрян //АС № 1018559. Приоритет от 05.01.1981 г. Не подл. опублик.

Полупроводниковый анод /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, А. В. Вартанян //АС № 969786. Приоритет от 06.03.81 г.

Преобразование солнечной энергии методом фотоэлектролиза воды с помощью фотоанодов на основе TiO2 и ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян //Сборник материалов юбилейных научных сессий.- Ереван: Изд. ЕГУ, 1981.- С. 130-143.

Спектральные характеристики фототока и эффективности преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян, А. В. Вартанян, А. Л. Маргарян, А. А. Погосян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 142-143.

Статические и эксплуатационные характеристики диодов из компенсированного цинком кремния при электронном возбуждении /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян //Ученые записки ЕГУ.- 1981.- Вып. 3.

Фотоэлектролиз воды с фотоэлектродами из легированных полупроводниковых окислов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян, Г. М. Степанян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 150-151.

Влияние поверхностной рекомбинации на эффективность воды /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. Л. Маргарян, А. Г. Саркисян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1981.- № 4.- С. 3-10.

О двойном срыве диодов из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1981.- Т. 16, № 1.- С. 50-57.

Распределение потенциала в фоточувствительной p-n-p-структуре из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, З. Н. Адамян, Т. А. Ншанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1981.- Т. 16, № 3.- С. 226-229.

Фотоэлектролиз воды с фотоэлектродами на основе двуокиси титана /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Электрохимия.- 1981.- Т. 17, № 10.- С. 1471-1476.

Чувствительность S - фотодиодов при наличии градиента концентрации глубоких центров /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Физика и технология полупроводников.- 1981.- Т. 15, вып. 10.


Анод для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян //АС № 1111507. Приоритет от 26.05. 1982 г. Не подл. опублик.

Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ) для определения активности (концентрации) ионов в биологических жидкостях и электролитах /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. С. Саркисян, Р. А. Багдасарян //Сборник Кровоснабжение, метаболизм и функция органов при реконструктивных операциях.- Ереван, 1982.

Исследование катионной чувствительности ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Р. А. Багдасарян //Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Ионоселективные электроды и ионный транспорт".- Лениниград: Изд. Наука, 1982.

Магниточувствительный полупроводниковый прибор /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, С. Н. Гаспарян, И. Д. Степанян //АС № 1114269. Приоритет от 03.08.1982 г. Не подл. опублик.

Малосигнальный анализ субкритически легированных диодов Ганна с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Ученые записки ЕГУ.- 1982.- Вып. I.

О возможности записи лазерного излучения на трехкомпонентных халькогенидных пленках /В. М. Арутюнян, С. Н. Гаспарян, А. Л. Оганова, И. Д. Степанян //Сборник трудов IV всесоюзной конференции по голографии: Т. 1.- Ереван, 1982.

Об одной особенности прохождения тока через варизонные структуры /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Материалы III Всесоюзной конференции по физ. проц. в полупроводников. гетероструктурах:Ч. 1.- Одесса: Изд. Одесского ГУ, 1982.

Практикум по цифровой микроэлектронике /В. М. Арутюнян, М. Р. Микаелян.- Ереван: ЕГУ, 1982.- 64 с.

Преобразование солнечной энергии методом фотоэлектролиза воды с помощью фотоанодов на основе TiO2 и ZnO: Матер. сов - итальян. симпозиума 1982 г. /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. В. Вартанян, К. А. Мадатян //Сборник Альтернативной источники энергии: Ч. 2: Использование солнечной энергии.- Москва: Изд. ЭНИН, 1982.- С. 29-37.

Температурные зависимости отрицательной фотопроводимости и ИК гашения в S - фотоприемниках из Si /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян //Тезисы докладов II республиканской конференции по фотоэлектрические явлениям в полупроводниках.- Киев: Изд. Наукова думка, 1982.

Шумы в инжекционных диодах из полупроводников, компенсированных глубокими центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Тезисы II республиканской конференции по фотоэлектрические явлениям в полупроводниках.- Киев, 1982.

БАРИТТ-диоды на основе SiC(6H) /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Радиотехника и электроника.- 1982.- Т. 27, № 6.

Исследование распределения микропотенциалов в кремниевых p+nn+ диодных структурах из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, З. Н. Адамян, Т. А. Ншанян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1982.- Вып. 3 (154).

К теории двойной инжекции в структурах с варизонной базой /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 11.

Некоторые особенности генерационно-рекомбинационных процессов на переходе полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, Г. М. Степанян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 7.- С. 1298-1301.

Некоторые особенности светового переключения кремниевых S-фотоприемников, компенсированных никелем /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 2.- С. 97-101.

О влиянии гипоталамуса на функцию коры надпочечников при алоксановом диабете /В. М. Арутюнян, С. Е. Торосян, Г. А. Еганян //Доклады АН АрмССР.- 1982.- Т. 74, № 1.- С. 45-48.

Резонансный узкополосный фильтр /В. М. Арутюнян, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, С. П. Ишханян, И. Г. Арутюнян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 2.- С. 109-113.

Спектральные зависимости эффективности преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, А. А. Погосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 1.- С. 31-36.

Физические свойства и функциональные возможности структур из кремния, компенсированного цинком //Микроэлектроника.- 1982.- Т. 12, № 6.

Фоточувствительные области в базе S - фотоприемников /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, Ф. Г. Бадалян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 5.

To Theory of small signal characteristics of p+nn+ structures based on semiconductors compensated by double ionized acceptor centres /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan //Electron Technology.- Warszawa: Institute of Electron Technology, 1982.- Vol.13, N 3.

1983

Аккумулирование солнечной энергии устройством для фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. О. Аракелян, А. А. Погосян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 177-179.

Варизонный лавинно-пролетный диод /В. М. Арутюнян, Л. Н. Григорян, С. Г. Петросян //Тезисы докладов V симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс, 1983.

Датчики потока электронов из компенсированного цинком кремния /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 132-133.

Емкостной зонд напряженности электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 134-135.

Импульсное устройство для регистрации распределения напряженности электрического поля в материале /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //АС № 1129562. Приоритет от 05.08.1983 г.

Исследование ионной чувствительности структуры раствора электролит-диэлектрик-полупроводник, с целью создания биомедицинских датчиков активности (концентрации) ионов /В. М. Арутюнян, Р. А. Багдасарян, А. С. Погосян, А. С. Саркисян //Тезисы докладов I республиканской конференции по медицинской технике и кибернетике.- Ереван, 1983.

Исследование планарных симметричных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Физика и технология полупроводников.- 1983.- Т. 17, вып. 2.

К теории шумов p+nn+ структур из компенсированных полупроводников /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Ученые записки ЕГУ.- Ереван: Изд. ЕГУ, 1983.- Вып. 2.

Механизмы фотоэлектрохимического разложения воды с учетом поверхностных центров (состояний) /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, В. В. Меликян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 141-143.

Метод измерения распределения напряженности электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, С. Г.Маритросян //Тезисы докладов республиканской научной конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 136-137.

Об эффективности фотоэлектролиза воды с керамическими фотоанодами на основе TiO2 и ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, Г. Э. Шахназарян, А. Р. Маилян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 198-200.

Поликристаллические электроды из селенида кадмия для регенеративных фотоэлектрохимических преобразователей /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян, Л. А. Арутюнян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1983.- № 1.- С. 6-10.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян, Д. С. Стребков //АС № 1085455. Приоритет от 22.02.1983 г. Не подл. опублик.

Регенеративные фотоэлектрохимические преобразователи солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.

Фотоэлектрохимические преобразователи солнечной энергии с применением халькогенидных полупроводников /В. М. Арутюнян, Л. А. Арутюнян, Т. А. Вартапетян,К. А. Мадатян //Солнечная фотоэлектрическая энергетика: Сборник.- Ашхабад, 1983.-С. 263-272.

Флуктуационные явления в S - диодах из компенсированного кремния /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Р. С. Барсегян, Ф. В. Гаспарян, З. О. Мхитарян, С. В. Мелконян, И. И. Сайдашев //Флуктуационные явления в физических системах: III Всесоюзная конференция, 28-29 сентября 1982 г., г. Вильнюс: Сборник материалов. - Вильнюс: М-во высш. и сред. спец. образования ЛитССР, 1983. - 212 с.

Характер образования фаз в TiO2 при ее частичном восстановлении и легировании /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Ю. В. Шмарцев, Г. А. Курбатов //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 3.- С. 184-188.

Экситонное электроотражение монокристаллов /В. М. Арутюнян, А. Р. Маилян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Тезисы докладов V Всесоюзного совещания "Физика и техника применения полупроводника А2В6": Т. 1.- Вильнюс, 1983.

Аэробический фотоэлектрохимический преобразователь регенеративного типа /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1983.- № 2.

Ионоселективный полевой транзистор /В. М. Арутюнян, Р. А. Багдасарян, А. С. Погосян //Электрохимия.- 1983.- Т. 19, № 11.

Исследование оптического поглощения легированного рутила /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, Г. А. Курбатов, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, К. К. Сидорин, Ю. В. Шмарцев //Физика твердого тела.- 1983.- Т. 25, № 3.- С. 942-944.

К теории физических процессов в магнитодиодах /В. М. Арутюнян, Г. В. Нанушян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 4.- С. 228-234.

Фотоэлектролиз воды с электродами на основе Fe2O3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Г. Э. Шахназарян, Г. М. Степанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 1.- С. 39-47.

Эффекты отрицательной дифференциальной проводимости и электролюминесценции на переходе окись цинка - электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. Р. Маилян, В. А. Меликсетян //Поверхность.- 1983.- Т. 1, № 4.- С. 147-150.

1984

Ֆիզիկայի խնդիրների ժողովածու. ԲՈՒՀ- երի դիմորդների համար /Վ.. Հարությունյան, Ս.. Պետրոսյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1984.- 109 Էջ:

Основы микроэлектроники: Курс лекций: Ч. 2.- Ереван: ЕГУ, 1984.- 83 с.

Фотоэлектрохимический преобразователь /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, Л. А. Арутюнян //АС № 1213922. Приоритет от 08.02.1984 г. Не подл. опублик.

Анод для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, Т. А. Вартапетян, А. А. Погосян //АС № 1187493. Приоритет от 27.04.1984 г. Не подл. опублик.

Влияние столкновений на комбинационное рассеяние /В. М. Арутюнян, Н. Ш. Баданян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 6.- С. 336-339.

Исследование фотоанодов из Fe2O36 легированной элементами IV группы /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Ученые записки ЕГУ.- 1984.- Вып. 1.- С. 73-78.

Исследование фотоанодов из Sr TiO3 /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, А. Г. Саркисян //Электротехническая промышленность.- 1984.- № 3.

Трансформирование энергетического разброса лазерной накачки процессом обращения волнового фронта /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 2.- С. 81-85.

Уравнения Блоха для перехода 1/2-1/2 /В. М. Арутюнян, Д. Г. Акопян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 4.- С. 222-224.

Шумы в симметричных планарных структурах из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев //Физика и технология полупроводников.- 1984.- Т. 18, вып. 7.

Шумовые характеристики кремниевых диодов с применением серы /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян //Известия вузов СССР. Радиофизика.- 1984.- Т. 27, № 9.- С. 1218-1220.

1985

Исследование влияния фотоемкости перехода ZnO - электролит на процессы фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. А. Погосян, В. А. Меликсетян //Тезисы докладов II всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии": Т. 1.- Ереван, 1985.- С. 139-140.

Исследование электрофизических и электрохимических характеристик электродов на основе окиси железа /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов II всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии": Т. 1.- Ереван, 1985.

К теории магнитодиодов из компенсированных полупроводников /В. М. Арутюнян, Г. В. Нанушян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

О влиянии дефектов на некоторые характеристики магнитодиодов КД-304 /В. М. Арутюнян, В. О. Абовян, А. О. Аракелян, Г. А. Егиазарян, В. Ш. Марукян, Р. Э. Саруханян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Оптическое фазомодулирущее устройство /В. М. Арутюнян, М. В. Минасян, К. О. Хачатрян //АС № 1316426. Приоритет от 17.05.85 г. Не подл. опубл.

Особенности вольт-амперных характеристик структур с плавными гетеропереходами при двойной инжекции /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Ч. 1.- Минск, 1985.

Поверхностные электронно-дырочные капли в сильно возбужденных кристаллах ZnO /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Ч. 3.- Минск, 1985.- С. 91-92.

Полупроводниковые электроды для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Ч. 1. Химические и биологические методы: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1985.- С 74-102.

Способ обнаружения дефектов в приповерхностном слое полупроводника /В. М. Арутюнян, В. О. Абовян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, В. Ш. Марукян, Ж. Р. Паносян //АС № 1384118. Приоритет от 26.11.1985 г. Не подл. опублик.

Способ электрожидкостной эпитаксии /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //АС № 1316426. Приоритет от 06.02.1985 г. Не подл. опублик.

Установка для исследований магниточувствительных структур в магнитном поле /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Установка для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. О. Аракелян, А. А. Погосян //АС № 1313010. Приоритет от 12.07.1985 г. Не подл. опубл.

Шумы в p+np+ - структурах из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, З. О. Мхитарян //Тезисы докладов IV Всесоюзной конференция "Флуктуационные явления в физических системах".- Пущино, 1985.- С. 38-39.

Экспериментальные наблюдения трансформации области с модулированной проводимостью в планарных магнитодиодах в магнитном поле /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Г. А. Егиазарян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Резонансное взаимодействие электромагнитного излучения с веществом: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян и др.- Ереван: ЕГУ, 1985.- 185 с.

Датчики потока электронов на основе p+nn+ структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1985.- Вып. 3.

Исследование возможности фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1985.- № 5.- С. 3-7.

Исследование керамических фотоанодов из рутила, легированного хромом /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. М. Степанян, А. А. Погосян, Э. А. Хачатурян //Электрохимия.- 1985.- Т. 21, № 2.- С. 261-265.

Исследование невырожденного четырехволнового обращения волнового фронта в трехуровневой резонансной среде /В. М. Арутюнян, А. Р. Арамян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1985.- Т. 20, № 3.- С. 139-146.

Исследование спектров поглощения и фотолиза сильнолегированного поликристаллического рутила /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, В. М. Аракелян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, Г. А. Курбатов, К. К. Сидорин, Ю. В. Шмарцев //Известия АН АрмССР. Физика.- 1985.- Т. 20, № 2.- С. 96-102.

Наблюдение поверхностных электронно-дырочных конденсатов в монокристаллах ZnO /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Ученые записки ЕГУ.- 1985.- Вып. 2.- С. 148-150.

О природе нестационарного тока через границу раздела полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, Г. С. Борназян, Ж. Р. Паносян //Электрохимия.- 1985.- Т. 21, № 16.- С. 846-849.

Об отказе от «адиабатического приближения» при расчете шумов S-диодов /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Известия АН АрмССР. Физика. – 1985.- Т. 20, № 4.- С. 211-216.

Природа физических процессов в преобразователях солнечной энергии на переходе теллурид кадмия - электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Физика и технология полупроводников.- 1985.- Т. 19, № 9.

Регистрация производной сигнала сканирующего зонда /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Д. К. Парсамян //Приборы и техника эксперимента.- 1985.- Вып. 3.

Установка для получения водорода электролизом воды за счет солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ю. В. Плесков, В. Н. Журавлева, А. Г. Пшеничников, А. В. Вартанян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1985.- № 4.

Электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния, легированного серой /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, Б. О. Семерджян //Физика и техника полупроводников.- 1985.- Т. 19, вып. 12.

1986

Թվային միկրոէլեկտրոնիկայի պրակտիկում /Վ. Մ. Հարությունյան, Մ. Ռ. Միքայելյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1986.- 60 Էջ:

Ժամանակակից միկրոէլեկտրոնիկայի պրոբլեմները: Լիցքային կապով սարքեր /Վ. Մ. Հարությունյան, Ֆ. Վ. Գասպարյան.- Երևան: ՀԽՍՀ ԳԱ, 1986.- 159 Էջ:

Ֆոտոընդունիչներ. անցյալը, ներկան, ապագան /Վ. Մ. Հարությունյան, Ֆ. Վ. Գասպարյան, Զ. Ն. Ադամյան.- Երևան: Հայաստան, 1986.- 230 Էջ:

Инжекционно-пролетные диоды /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян.- Ереван: ЕГУ, 1986.- 228 с.

Диодные структуры в системе n - JnAs - p - InAsi-xPx, полученные методом электрожидкостной эпитаксии /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковах гетероструктурах.- Минск, 1986.- С. 142-143.

Исследование pH - чувствительных ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. В. Айвазян //Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Аналитическое приборостроение. Методы и приборы для анализа жидких сред".- Тбилиси, 1986.

Микроэлектронный электрод сравнения на основе полевого транзистора /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. А. Варданян //Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Аналитическое приборостроение. Методы и приборы для анализа жидких сред".- Тбилиси, 1986.

Обращение волнового фронта при четырехволновом взаимодействии: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.- Ерван: ЕГУ, 1986.- 160 с.

Полупроводниковый датчик для селективного определения компонентов в жидких средах /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян //АС № 1454073. Приоритет от 01.12.1986. Не подл. опублик.

Способ изготовления полупроводникового газочувствительного элемента /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, К. Р. Мовсесян, Г. В. Абовян //АС № 1421079. Приоритет от 30.05.1986. Не подл. опублик.

Способ изготовления полупроводниковых приборов с мелким р-п переходом /В. М. Арутюнян, Г. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Худавердян //Пол. решение. Приоритет от 09.06.1986.

Способ изготовления фотоэлектрода для фотоэлектрохимического преобразователя /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, А. В. Варданян //АС № 1396879. Приоритет от 15.05.1986. Не подл. опублик.

Фотоэлектрохимическое преобразование солнечной энергии с помощью полупроводниковых электродов //Фотоприемники и фотопреобразователи: Сборник. - Лениниград: Наука, 1986.- С. 253-287.

Электролизер для фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Я. М. Колотыркин и др. //АС № 1412373. Приоритет от 03.01.1986. Не подл. опубл.

Влияние экситонного поглощения на спектры фотопроводимости и фототока границы раздела ZnO - электролит /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Физика твердого тела.- 1986.- Т. 28, № 5.

Вольт-амперные характеристики варизонных структур с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Физика и технология полупроводников.- 1986.- Т. 20, № 5.

Двухфотонное изменение поляризации пикосекундных импульсов /В. М. Арутюнян, И. Г. Арутюнян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 3.- С. 160-162.

Исследование времен релаксации возбужденных уровней 3Р1/2,3/2 в плотных парах атомарного Na поляриметрическим методом /В. М. Арутюнян, А. Р. Арамян, С. П. Ишханян, А. А. Лалаян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 2.- С. 101-103.

Исследование неоднородностей в компенсированном кремнии методом сканирования лазерным лучом /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, М. А. Гукасян //Ученые записки ЕГУ.- 1986.- Вып. 1.- С. 87-90.

Исследование планарных магниточувствительных структур с помощью топограмм электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Г. А. Егиазарян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- 1986.- № 3.

Исследования поверхностных состояний на границе раздела полупроводниковых ZnO и TiO2 с электролитом /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Р. Маилян, Г. С. Борназян //Поверхность.- 1986.- Т. 4, № 2.- С. 93-99.

Исследование фотоанодов из модифицированного титаната стронция /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян, Э. В. Путнынь //Электрохимия.- 1986.- № 4.

Исследования шумов в приборах из кремния, компенсированного серой /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян //Известия вузов СССР. Радиофизика.- 1986.- Т. 29, № 8.- С. 984-988.

Лавинно-пролетный диод с варизонной областью умножения /В. М. Арутюнян, Л. Н. Григорян, С. Г. Петросян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 3.- С. 134-139.

Оптические свойства двухфазной системы металл-диэлектрик Cu - ZnO /В. М. Арутюнян, К. Г. Бегоян, Ю. Г. Зарецкий, А. Г. Саркисян, Л. А. Тимохина, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев //Физика твердого тела.- 1986.- Т. 28, № 9.- С. 2707-2710.

Синтез и исследования системы TiO2 - MnO2 /В. М. Аракелян, В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. M. Степанян, В. Л. Элбакян //Ученые записки ЕГУ.- 1986.- Вып. 3.- С. 69-74.

Электрожидкостная эпитаксия: Новый подход к управлению составом эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений А3В5 /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян //Журнал технической физики.- 1986.- Т. 66, № 11.

Phenomena in silicon photodiodes doped with Zn and S /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamyan, R. S. Barsegyan, F. V. Gasparyan, M. H. Azaryan, B. O. Semerjian, Z. N. Mhitarian, S. V. Melkonyan //Infrared Physics.- Gr. Britain: Pergamon Press.- 1986.- 26, № 5.

1987

Биосовместимость некоторых материалов, применяемых в технологии микроэлектроники /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. Р. Мурадян //Микроэлектроника.- 1987.- Т. 16, № 6.

Биосовместимость некоторых материалов, применяемых в технологии микроэлектроники /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. Р. Мурадян //Тезисы докладов XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике.- Тбилиси, 1987.

Высокочувствительные кремниевые фотоприемники УФ и видимой части спектра /В. М. Арутюнян, А. Х. Авакян, Б. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Х. Худавердян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1987.- № 6.

Влияние глубоких центров на вольт-емкостные характеристики границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.- С. 27.

Влияние освещения на релаксацию через структуру Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, В. Ш. Марукян, Р. Э. Саруханян, В. Л. Элбакян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Влияние поверхностных состояний на кинетику фототока на переходе полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С.

Влияние состояния поверхности окисных фотоанодов на эффективность фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 227-228.

Исследование вольт-емкостных характеристик керамических электродов из легированной Ре2О3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 184-185.

Исследование вольт-емкостных характеристик керамических фотоэлектродов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян // Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Исследование свойств границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Исследование спектральных х зависимостей фототока и фотоемкости границы раздела CdTe - электролит /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 182-183.

Исследование твердых растворов In1-xGαxP в сильных электрических полях /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, А. И. Ваганян, Г. Е. Григорян, А. Б. Димаксян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1987.- Т. 22, № 3.- С. 166-170.

Исследование чувствительности пленок двуокиси олова к парам ацетона /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян //Межвузовский сборник. Микроэлектроника и промышленная электроника.- Ереван, 1987.

К теории низкочастотного шума в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Кремниевые коротковолновые фотоприемники с мелким p - n переходом /В. М. Арутюнян, А. Х. Авакян, Г. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Х. Худавердян //Тезисы докладов XII Всесоюзной конференции по микроэлектроники: Ч. 1.- Тбилиси, 1987.

Материал чувствительного элемента датчика газов на основе керамики /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, В. Г. Осипян, П. Б. Авакян //АС № 1508751. Приоритет от 24.07.1987. Не подл. опублик.

Микроэлектронные первичные преобразователи концентрации ионов на основе ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. Х. Авагян, А. В. Айвазян //Тезисы докладов XII Всесоюзной конференции по микроэлектроники: Ч. 1.- Тбилиси: Изд. Тбил. ГУ, 1987.

Примесные фотоприемники на основе кремния, легированного серойР. С. Барсегян, Б. О. Семерджян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Поверхностные экситоны в кристаллах окиси цинка /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Получение и исследование некоторых физических свойств кристаллов JnSe /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Р. С. Барсегян, Г. Е. Григорян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Получение методом электрожидкостной эпитаксии p - n структур в системе JnAs/JnAsi-xPx и исследование их диодных характеристик /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Спектральные характеристики фоточувствительности варизонных структур с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Способ изготовления полупроводникового анода для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, А. А. Андреев, А. Р. Маилян, Б. Т. Мелех, А. А. Погосян, Ю. Н. Филин, А. Г. Саркисян //АС № 1480366. Приоритет от 31.03.1987. Не подл. опублик.

Фотовольтанический эффект в варизонных полупроводниках в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Фотоемкостный метод исследования границы раздела полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян, А. Б. Димаксян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Фотоэлектрические свойства границы раздела Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, В. Ш. Марукян, А. З. Петросян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Экситонный механизм фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 213-214.

Эффективный фотоанод из CdTe для фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 180-181.

Нелинейные оптические взаимодействия: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.- Ереван: ЕГУ, 1987.- 194 с.

Влияние аденозина гуаниловых нуклеотидов, агонистов β-адрено-рецепторов и блокаторов H2-гистаминорецепторов на активность гистаминчевствительной аденилациклазы париентальных клеток желудка крысы /В. М. Арутюнян, В. Т. Ивашкин, Г. А. Минасян, О. Г. Агеева, Т. Л. Коничева //Доклады АН АрмССР.- 1987.- Т. 85, № 4.- С. 184-188.

Влияние ионов натрия, калия, кальция, магния, марганца и анионов фтора на активность гистаминчувствительной аденилатциклазы париетальных клеток желудка крысы /В. М. Арутюнян, В. Т. Ивашкин, Г. А. Минасян, О. Г. Агеева, Т. Л. Коничева //Доклады АН АрмССР.- 1987.- Т. 85, № 3.- С. 133-136.

Влияние механической обработки поверхности на фотоэлектрохимические свойства электродов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1987.- № 4.

Использование возобновляемых источников энергии за рубежом //Физика низких температур.- Киев.- 1987.- Т. 13, № 6.

Исследование полупроводниковых свойств высокотемпературных сверхпроводников /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. А. Варданян, Р. С. Акопян, Э. В. Путнынь //Промышленность, строительство и архитектура Армении.- 1987.- № 11.

Многофотонные и спиновые эффекты на границе двух сред /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1987.- Т. 22, № 6.- С. 320-326.

Переход полупроводник-электролит: фундаментальные исследования и перспективы внедрения //Физика низких температур.- Киев.- 1987.- Т. 13, № 6.

Перспективный фотоанод для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргагрян, С. А. Мкртчян, А. Г. Меликджанян, К. О. Довлетов //Ученые записки ЕГУ.- 1987.- № 3.

Шумы в структурах с двойной инжекцией из полупроводников, компенсированных однозарядными центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Радиотехника и электроника.- 1987.- Т. 32, № 2.

Capacitance - voltage characteristics of doped Fe2O3 ceramic electrodes /V. M. Aroutiounyan, A. G. Sarkissian, G. E. Shakhnazaryan, J. A. Terner //XIII International Conference on Photochemistry: Abstracts.- Budapest.- 1987.- Vol. 2.- P. 700.

Capacitance-voltage characteristics of doped Fe2O3 ceramic electrodes //Journal electrochemical society.- 1987.- Vol. 134, N 3.- P. 144.

Photoelectochemical conversion of solar energy by use of the exciton absorption /V. M. Aroutiounyan, A. R. Mailian, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, J. R. Panossian, A. A. Pogossian //Journal electrochemical society.- 1987.- 134, № 3.

Studies on the modified TiO2 and ZnO semiconducting photoelectrodes /V. M. Aroutiounyan, A. G. Sarkissian, V. M. Arakelyan, V. L. Elbakyan, R. S. Hakopyan, G. M. Stepanyan //XIII International Conference on Photochemistry: Abstracts.- Budapest.- 1987.- Vol. 2.

1988

Датчик для определения концентрации паров ацетона /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //АС № 156989. Приоритет от 19.09.1988. Не подл. опублик.

Исследование электропроводности легированной Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян, В. М. Аракелян, А. Г. Саркисян //Ученые записки ЕГУ.- 1988.- Вып. 2.- 63-67.

Микроэлектронные первичные преобразователи для контроля загрязнения окружающей среды /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //Тезисы докладов первой Всесоюзной научно-технической конференции "Системный анализ и управление в задачах рационального природопользования и охраны окружающей среды" 21-25 марта Цахкадзор.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1988.

Низкочастотные шумы в кремнии с примесью никеля /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян, С. В. Минасян //Ученые записки ЕГУ.- 1988.- Вып. 2.

Оптическое возбуждение поверхностных состояний на CdTe, приводящее к инверсии спектральной зависимости фототока через границу раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников.- Кишинев, 1988.

Предметный столик для электронного микроскопа /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, Ф. В. Гаспарян, В. Ш. Марукян //АС № 1636895. Приоритет от 01.02.1988. Не подл. опублик.

Способ получения полупроводниковых структур на основе твердых растворов А3В5 из раствора - расплава /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //АС № 1575586. Приоритет от 19.07.1988. Не подл. опублик.

Температурная зависимость 1/f шума в компенсированных кремниевых структурах /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Флуктуационные явления в физических системах: V Всесоюзная конференция Паланга.- Вильнюс, 1988.

Фотодиоды с мелким p - n переходом для цифрового преобразователя угла /В. М. Арутюнян, Г. М. Берберян, П. Г. Габриелян //Всесоюзное совешания "Фотоэлектрические преобразователи угловых или линейных перемещений".- Ереван, 1988.

Влияние глубоких центров на вольт-емкостные характеристики границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркися, Г. Э. Шахназарян //Электрохимия.- 1988.- Т. 24, № 4.- С. 515-521.

Индуцированное изменение поляризации УКИ света в парах натрия /В. М. Арутюнян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян, А. С. Петросян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 5.- С. 256-260.

Исследование ионоселективных транзисторов /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. Х. Авагян, А. В. Айвазян //Микроэлектроника.- 1988.- Т. 17, № 2.

Исследование фотоанодов, изготовленных из частично восстановленного оксида цинка /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Акопян //Электрохимия.- 1988.- Т. 24, № 9.

Исследование эффекта протекания в случайно-неоднородной системе Cu-ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, К. Г. Бегоян, А. Р. Маилян, М. А. Мнацаканян, М. Р. Микаелян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 3.- С. 145-149.

Оптическая ориентация и выстраивание атомных систем 1/2-1/2 и 1-0 в поле насыщающей эллиптически поляризованной волны /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Д. Г. Акопян, К. В. Арутюнян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 6.- С. 333-338.

Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, Г. Е. Григорян, Б. О. Семерджян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 2.- С. 99-105.

Пространственно-временная эволюция ультракоротких импульсов света при комбинационном рассеянии /В. М. Арутюнян, Н. Ш. Баданян, А. А. Чахмахчян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 1.- С. 3-8.

Шум 1/f в компенсированных кремниевых структурах /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Известия ВУЗов СССР. Радиофизика.- 1988.- Т. 31, № 12.- С. 1541-1543.

Шумовые характеристики p+-n-p+ мезапланарных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 3.- С. 149-155.

On the theory of 1/f noise in the middle and far infrared photodetectors /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. V. Melkonyan /Proceeding IV International Conference Infrared Physics.- Zürich, 1988.

1989

Ֆիզիկայի խնդիրների և հարցերի ժողովածու: Բուհ ընդունվողների համար /Վ. Մ. Հարությունյան, Գ. Բ. Ալավերդյան, Ա. Հ. Գրիգորյան, Ա. Հ. Մակարյան, Ս. Գ. Պետրոսյան, Ա. Վ. Սարգսյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1989.- 106 Էջ:

Влияние легирующих добавок на характер образования фаз и сверхпроводящие свойства керамики Bi - Ca - Sr - Cu - O /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский, В. Л. Элбакян, В. П. Слдоян, Г. М. Степанян, Э. А. Хачатурян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по высокотемперной сверхпроводимости: Т. 3.- Киев, 1989.

Газочувствительные датчики на основе ферритов висмута /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //Химические сенсоры-89. Всесоюзная конференция: Т. 2.- Лениниград, 1989.

Датчик для определения концентрации паров бензина /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян, В. Г. Осипян, М. Д. Нерсесян //АС № 1641086. Приоритет от 19.06.1989. Не подл. опублик.

Исследование вольт-амперных характеристик системы Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, В. Ш. Марукян, А. К. Аревян, А. З. Петросян //Микроэлектроника.- 1989.- Т. 18, № 1.

Исследование сверхпроводящих свойств Bi - Sr - Ca - Cux - Oy /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян, Р. С. Вартанян, Э. Л. Игнатян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по высокотемперной сверхпроводимости: Т. 3.- Киев, 1989.

Исследование фотоэлектрохимических характеристик границы раздела Sr TiO3 / электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Г. Лоренц //Электрохимия.- 1989.- Т. 25, № 1.

Кремниевые фотоприемники /В. М. Арутюнян, Ф. Г. Гаспарян, З. Н. Адамян.- Ереван: Изд-во Ерев. ун-та, 1989.- 362 с.

Кремниевые фотоприемники ультрафиолетового диапазона /В. М. Арутюнян, К. Г. Берберян, С. В. Минасян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Некоторые исследования по теории двойной и лавинной инжекции в полупроводниках //Диссертация, предс. на соиск. уч. степени к. ф.- м. н. Автореферат к ней (28 c.).- Ереван: ЕГУ, 1969.- 196 с.

О низкотемпературных спектрах люминесценций кристаллов ZnO в области экситонного резонанса /В. М. Арутюнян, A. Л. Маргарян //Физика твердого тела.- 1989.- Т. 31, № 11.- С. 263-266.

О сверхпроводимости при температурах выше 100 К в системе Bi - Ca - Sr - Cu- O /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Акопян, Р. С. Вартанян, Э. В. Путнынь, Н. М. Добровольский, С. Г. Геворкян //Письма в журнал технической физики.- 1989.- Т. 49, № 2.

Очувствление полупроводников приповерхностным полем, возникающим при контакте с электролитом /В. М. Арутюнян, С. Х. Варданян, А. Л. Маргарян //Физика и техника полупроводников.- 1989.- Т. 23, вып. 11.- 2062-2064.

Получение и исследование некоторых электрофизических свойств моноселенида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Г. E. Григорян //Ученые записки ЕГУ.- 1989.- Вып. 3.- С. 65-68.

Рентгеночувствительность моноселенида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, В. Л. Элбакян, Г. Е. Григорян //Физика и техника полупроводников.- 1989.- Т. 23, вып. 3.- С. 505-507.

Сборник задач и вопросов по физике для поступающих в вузы /В. М. Арутюнян, Г. В. Алавердян, А. Г. Григорян, А. Г. Макарян, С. Г. Петросян, С. В. Саркисян.- Ереван: ЕГУ, 1989.- 116 с.

Система Bi2WO6 - Bi4V2O11 в области субсолидуса /В. М. Арутюнян, Л. М. Савченко, В. Л. Элбакян, В. Г. Осипян //Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1989.- Т. 25, № 12.

Состояние гормональной регуляции кальциевого обмена при периодической болезни /В. М. Арутюнян, Г. А. Григорян //Доклады АН АрмССР.- 1989.- Т. 88, № 4.- С. 185-188.

Способ определения неэффективности переноса заряда в фоточувствительных приборах с зарядовой связью с реверсивным переносом заряда /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //АС № 1688750. Приоритет от 03.06.1989. Не подл. опублик.

Тонкопленочный датчик дыма /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, З. Н. Адамян, А. С. Погосян, А. А. Погосян //Электронная техника. Тезисы докладов конференции.- 1989.- Серия 5, Вып. 1(300).

Тонкопленочные фотоприемники на основе InAs - InP /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Тонкопленочный химический сенсор на основе Fe2O3 /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //Датчики на основе технологии микроэлектроники.- Москва: Изд. Знание, 1989.

Ферриты висмута - новые материалы чувствительного элемента датчиков газов /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, С. О. Мкртчян, П. Б. Авакян, В. Г. Осипьянц, М. Д. Нерсесян, И. П. Боровинская.- Черноголовка: Изд АН СССР. Ин-т структурной макрокинетики, 1989.- 28 с.

Физические свойства границы полупроводник-электролит //Успехи физических наук.- 1989.- Т. 158, № 6.- С. 255-291.

Фотоэлектрические явления на границе раздела электролит - высокотемпературная сверхпроводящая керамика /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Вартанян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Avalanche multiplication in the graded bandgap structures /V. M. Aroutiounyan, S. G. Petrosyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Photo-capacitive spectroscopy of sulfur atoms and heat treatment defects in n - Si ˂S˃ /V. M. Aroutiounyan, A. R. Akhoyan, R. S. Barsegyan, B. O. Semerjian //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, N 7.

Photoelectric properties of p+nn+ silicon structures doped with selen /V. M. Aroutiounyan, R. S. Barsegyan, G. E. Grigoryan, V. A. Mhikyan, B. O. Semerjian //Procceding IV International Conference Infrared Physics.- Zürich, 1988..- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Silicon plates homogenity diagnostics method by means of semiconductor - electrolyte structure surface photovoltage measurements /V. M. Aroutiounyan, A. O. Arakelyan, A. K. Arevyan, M. S. Kazaryan, V. A. Meliksetyan, V. L. Elbakyan //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, 7.

Solar to Hydrogen / Solar to Electricity conversion studies in Armenia //Procceding 1st. World Congress of Armenian Engangs, Scientists and Industrials.- California: F. A. Printing, 1989.

The noise spectroscopy of defects and impurities in compensated silicon /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamyan, Z. H. Mkhitaryan //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, N 7.

Theory of 1/f noise in medium and far infrared photodetectors /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. V. Melkonyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Photoresponse pecularities of variable - gap p+nn+ diodes /V. M. Aroutiounyan, S. G. Petrosyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Surface excitons in ZnO - crystals /V. M. Aroutiounyan, A. L. Margaryan, Zh. R. Panossian, V. A. Meliksetyan //Journal Physics: Condens. Matter.- 1989.- Vol. 1, N 5.

1990

Влияние легирующих добавок на характер образования фаз и сверхпроводящие свойства висмутовой керамики /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Вартанян, А. Р. Маилян, В. Л. Элбакян, К. Г. Бегоян, Н. М. Добровольский, И. Ю. Павлова //Сверхпроводимость: физика, химия, техника.- 1990.- № 9.

Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян //Физика и технология полупроводников.- 1990.- Т. 24, вып. 1.- С. 203-206.

Газоанализатор /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Г. В. Абовян, А. А. Погосян, К. Р. Мовсисян //АС № 1730913. Приоритет от 12.06.1990. Не подл. опублик.

Газочувствительные датчики на основе ферритов висмута /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //Журнал аналитческой химии.- 1990.- Т. 45, № 7.

Исследование сверхпроводящих переходов висмутовых керамик в магнитных полях до 80 кЭ /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 5.- С. 271-274.

К анализу деградации заряда при переносе в ПЗС-фотоприемниках/В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 2.- С. 65-69.

К анализу неоднородности фоточувствительности матричных фотоприемных приборов с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Известия АН АрмССР. Серия техн. наук.- 1990.- Т. 43, № 4.- С. 173-177.

Методика диагоностики однородности полупроводниковых материалов путем измерения конденсаторной приповерхностной фотоэдс структуры полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, М. С. Казарян, В. А. Меликсетян, В. Л. Элбакян //VII Международная конференция по микроэлектронике: Тезисы докладов.- Минск.- 1990.- Т. 1.

Микроэлектронные химические сенсоры /В. М. Арутюнян, С. О. Мкртчян, П. Б. Авакян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //VII Международная конференция по микроэлектронике: Тезисы докладов.- Минск.- 1990.- Т. 1.

Низкочастотные шумы в кремнии с примесью селена /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Известия ВУЗов СССР. Радиофизика.- 1990.- Т. 33, № 10.- С. 1195-1196.

О влиянии разброса величины внутреннего квантового выхода на неоднородность фоточувствительности приборов с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов, С. Х. Худавердян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 3.- С. 145-148.

Получение и исследование электрофизических свойств кристаллов монотеллурида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Г. Е. Григорян //Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1990.- Т. 26, № 5.

Потери заряда при предельных скоростях переноса в приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1990.- Вып. 3 (206).

Разброс фоточувствительности в фотоприемных приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, A. A. Карагёзов //Ученые записки ЕГУ.- 1990.- Вып. 2.- С. 70-73.

Термогенрация заряда в трехфазных фотоприемных приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, A. A. Карагёзов //Ученые записки ЕГУ.- 1990.- Вып. 3.- С. 45-49.

Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, О. С. Семерджян, Р. А. Мелконян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 1.- С. 51-58.

Bismuth Ferrites Gas Sensors/V. M. Aroutiounyan, A. G. Pogossyan, H. V. Abovyan, S. O. Mkrtchyan, P. B. Avakyan //Eurosensors IV. Karlsruhe.- Abstracts.- 1990.- P. 4. 6. 10.

1991

Влияние продольного и поперечного электрических полей на фотоэлектрохимические свойства полуповодников /В. М. Арутюнян, С. Х. Варданян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Р. Э. Саруханян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1991.

Исследование фотоэлектрохимических характеристик фотоанодов и фотокатодов на основе монокристаллического и поликристаллического InP /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян, Э. А. Хачатрян, Э. Л. Игнатян //Всесоюзная конференция по фотоэлектрохимии и фотокатализу.- Минск, 1991.

Исследования шумов в p - n - n+ структурах из компенсированного двойными акцепторами полупроводника /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Известия ВУЗов. Радиофизика.- 1991.- Т. 34, № 10-12.- С. 1226-1236.

Микроэлектронные технологии - магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров //Микроэлектроника.- 1991.- Т. 20, № 4.

Оптические явления в полупроводниковых фотокатализаторах и возможности их применения //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1991.- С. 228-294.

Фотоэлектрохимические характеристики фотокатодов на основе иттрий - бариевой керамики /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян //Всесоюзная конференция по фотоэлектрохимии и фотокатализу.- Минск, 1991.

Diagnostics of effects from the noise spectra /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. K. Melkonyan //Solid - State Phenomena.- 1991.- Vol. 19, N 20.

J.Bismuth Ferrites Gas Sensors/V. M. Aroutiounyan, A. G. Pogossyan, H. V. Abovyan, S. O. Mkrtchyan, P. B. Avakyan //Sensors and Actuators B 4.- 1991.

Silicon ultraviolet photodetectors /V. M. Aroutiounyan, G. K. Berberian //Eurosensors V.- Abstracts.- Rome, 1991.

1992

Пути преобразования солнечной энергии : (Обзор).- Ереван, 1992.- 44 с.

Химические сенсоры (Обзор).- Ереван: Лрату, 1992.- 50 с.

О возможности обнаружения поверхностных состояний из спектров фотопроводимости /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Р. Э. Саруханян //Физика и техника полупроводников.- 1992.- Т. 26, вып. 3.- С. 550-553.

Current - voltage response of electrochemical photosensors /V. M. Aroutiounyan, H. V. Abovyan, P. B. Avakyan, A. S. Pogossian, S. H. Mkrtchian //4 th International meeting on Chem. Sensors.- Tokyo, 1992.- Abstracts.

Photoelectrochemical conversion of solar energy by InSe, GaSe and CuInSe2 crystals /V. M. Aroutiounyan, M. L. Dimaksian, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, S. Kh. Vardnian //9 th International Conference Photoelectrochem. Conversion and Storage of Solar Energy. Beijing (Cina).- Abstracts.- 1992.

1993

Влияние поверхностного потенциала на физические процессы в фотоэлектрохимических преобразователях солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Л. Маркарян, В. А. Меликсетян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1993.- Т. 29, № 6.

Влияние электронного облучения на сверхпроводящие свойства керамики /В. М. Арутюнян, С. К. Никогосян, А. А. Саакян, Г. Н. Ерицян, А. Г. Саркисян //Сверхпроводимость.- 1993.- Т. 6, № 7.

Особенности структуры полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Письма в журнал технической физики.- 1993.- Т. 19, № 21.- С. 44-48.

Свойства и возможности применения структуры полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Доклады НАН Армении.- 1993.- Т. 94, № 4.- С. 243-248.

Current - voltage response of electrochemical photosensors: Sensors and Actuators B.- 1993.- Vol.13, N 14.

Fe2O3 - based thin film petrol - vapour sensor //Eurosensor VII.- Budapest, 1993.

Gas response of semiconductor sensors //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. B.

Gas response of semiconductor sensors //Eurosensors VII. Budapest (Hungary).- Abstracts.- 1993.

High sensitive smoke sensor operated at room temperature /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Chemical Sensors.- 1993.- V. 9, Suppl. 8; 5 th Int. Meet. Chem. Sensors, Rome, Italy, 1994.- Abstracts.

La AlO3 - CaTiO3 - solid solution - a new gas - sensitive material /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamian, A. A. Barsegyan, M. S. Pogossian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. 8.

Optical gas sensor with photoelectric detector in feedback circuit /V. M. Aroutiounyan, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. 8.

Solar - hydrogen conversion studies and systems in the Republic of Armenia //New Energy Systems and Conversions Ed. T. Ohta and T. Homma Acad. Press Tokyo, 1993.

Smoke - detector signal processing circuits /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamian, A. A. Barsegyan, M. S. Pogossian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. B.

1994

Исследование квантовой эффективности керамических фотоэлектродов из легированного Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. В. Шахназарян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Дж. А. Тернер //Электрохимия.- 1994.- Т. 30, № 5.

О возможности наблюдения релаксационных колебаний в структуре полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Физика твердого тела.- 1994.- Т. 36, № 5.- С. 1513-1516.

О люминесценции пористого кремния и его новых применениях //Europ. Mater. Res Conf. Strassburg.- France, 1994.

Об особенностях внутригранульных характеристик после электронного облучения керамики YBa2Cu2,99Na0,01Ox /В. М. Арутюнян, С. К. Никогосян, А. А. Саакян, Г. Н. Ерицян, А. Г. Саркисян //Известия НАН РА. Физика.- 1994.- Т. 29, № 6.- С. 239-245.

Применение новой разновидности электрожидкостной эпитаксии для выращивания пленок InSbAsBi и диодных гетероструктур на их основе /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 1994.- Т. 29, № 3.- С. 94-100.

A new high sensitive material for smoke sensors operated without heating element /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Procceding 5 th International Meeting on Chemical Sensors Rome, 1994.

A new type gas sensor on the basis of semiconductor - cleft - semiconductor structure /V. M. Aroutiounyan, Kh. V. Nerkararian //Procceding 5 th International meeting on Chemical Sensors Rome.- Italy.- 1994.- Vol. 1.

Optical beam double auto balance gas sensors /V. M. Aroutiounyan, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Procceding 5th International meeting on Chemical Sensors Rome.- Italy.- 1994.- Vol. 2.

Selective petrol vapour sensor based on an Fe2O3 thin films /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Sensors and Actuators.- 1994.- B 18, № 1-3.

The influence of exciton field dissociation on the efficiency of photoelectrochemical production of hydrogen /V. M. Aroutiounyan, S. K. Vardanyan, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, R. E. Sarukhanian //International Journal Hydrogen Energy.- 1994.- Vol. 19, № 3.

1995

Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ: Ուսումնական ձեռնարկ.- Երևան: ԵՊՀ, 1995.- 270 Էջ:

Двойная инжекция в структуру с пористым кремнием //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 4.- С. 229-235.

Исследование квантовой эффективности полупроводниковых фотоэлектродов Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Дж. А. Тернер //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 1.- С. 39-43.

О люминесценции пористого кремния и его новых применениях //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 3.- С. 151-155.

Оптический волновод с подвижными границами на основе структуры кристалл - зазор - кристалл /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Письма в журнал технической физики.- 1995.- Т. 21, № 16.

Optical beam double auto balance gas sensors /V. M. Aroutiounyan, Kh. V. Nerkararian, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Sensors and Actuators B 24-25, 1995.

Solar - hydrogen conversion studies and systems in the Republic of Armenia //Procceding International Conference HYPOTHESIS, pt.1.- Italy, 1995.

Transport phenomena atthe semiconductor - electrolyte and semiconductor - gas interfaces //Report N AUA/ERC - 7 - 95/02.- Yerevan, 1995.

Smoke - detector: //US Patent № 5382341 jan. 17, 1995. Приоритет от 10.09.1992.

1996

ԳԲՀ կիսահաղորդչային սարքեր: 2 մաս /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1996.- 445 Էջ:

Կիսահաղորդչային սարքեր /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1996.- 244 էջ

Исследование микроэлектронных сенсоров влажности на основе тонких пленок сложных окислов /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян //Известия НАН РА. Физика.- 1996.- Т. 31, № 3.- С. 100-114.

К вопросу о фотопроводимости n+-n-n+- структур на основе кремния, легированного цинком /В. М. Арутюнян, Ю. А. Абрамян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика Известия НАН РА. Физика.- Т. 31, № 1.- С. 33-40.

Получение и исследование полупроводниковых многокомпонентных тонких пленок /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян, А. Л. Кесоян, А. Л. Маргарян //Известия НАН РА. Физика.- 1996.- Т. 31, № 5.- С. 202-208.

1997

Инжекционная электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 1.- С. 35-43.

К теории адсорбции газа полупроводником /В. М. Арутюнян, Г. С. Агабабян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 2.- С. 91-99.

К чувствительности поверхностного СВЧ импеданса ВТСП пленок к оптическому возбуждению /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 6.- С. 310-312.

Низкочастотные шумы в образцах кремния с примесью цинка /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 4.- С. 192-200.

1998

Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 1.- С. 22-30.

Малосигнальный анализ инжекционно-пролетных диодов с квантовыми ямами /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, С. Г. Петросян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 5.- С. 241-248.

О модельном представлении физических процессов в пористых полупроводниках /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 6.- С. 284-291.

Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 3.- С. 132-140.

Электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда /В. М. Арутюнян, К. Б. Матевосян //Доклады НАН Армении.- 1998.- Т. 98, № 1.- С. 53-57.

1999

Новый подход к проблеме повышения эффективности солнечных элементов /В. М. Арутюнян, Ю. А. Абрамян, В. И. Сераго, И. Д. Анисимова, В. И. Стафеев, Г. Г. Карамян,Г. А. Мартоян, А. А. Мурадян //Известия НАН РА. Физика.- 1999.- Т. 34, № 5.- С. 282-290.

Модель формирования пористой матрицы /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Доклады НАН РА.- 2000.- Т. 100, № 2.- С. 134-142.

2000

Особенности оптического поглощения и фотолюминесценции пористого кремния /В. М. Арутюнян, А. Г. Алексанян, А. С. Еремян //Известия НАН РА. Физика.- 2000.- Т. 35, № 4.- С. 187-195.

2001

Адсорбционный детектор дыма на основе тонкопленочного сенсора из металлооксидного полупроводника /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 2.- С. 88-93.

Исследование возможности подавления влияния влажности при адсорбции дыма на поверхности полупроводника /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 1.- С. 32-43.

К теории перколяционных эффектов в пористом кремнии /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36.- С. 81-87.

Механизмы проводимости в пористом кремнии /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 6.- С. 338-345.

Физические процессы в солнечных элементах с внутренним тянущим полем /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 4.- С. 210-218.

2002

Влияние светового излучения на поверхностное сцепление нематического жидкого кристалла, контактирующего с полупроводниковой подложкой /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Н. В. Табирян //Известия НАН РА. Физика.- 2002.- Т. 37, № 6.- С. 354-363.

Исследование мембран эритроцитов больных семейной средиземноморской лихорадкой с применением методического подхода двухкоординатной экстракции /В. М. Арутюнян, А. М. Седракян, А. И. Оганисян, А. Ш. Абрамян, А. А. Арутюнян, Г. С. Акопян, К. Г. Карагезян //Доклады НАН РА.- 2002.- Т. 102, № 2.- С. 159-165.

2003

Влияние интерфейсного слоя границы раздела полупроводник-жидкий кристалл на ориентационные эффекты /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, С. Р. Нерсисян, Н. В. Табирян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 2.- С. 97-107.

К теории 1/f-флуктуации решеточной подвижности носителей тока в однородных полупроводниках /В. М. Арутюнян, С. В. Мелконян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 1.- С. 29-35.

Спектральные характеристики модифицированных фотоэлектродов на основе TiO2 и SrTiO3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян, В. М. Аракелян, Е. Г. Заргарян, К. Г. Бегоян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 3.- С. 163-172.

2004

Вольт-амперные характеристики структур с пористым кремнием в электролите /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, А. З. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2004.- Т. 39, № 3.- С. 173-177.

Модель переноса тока в микроструктурах карбидкремниевой керамики /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, М. Г. Траваджян, Л. А. Микаелян, П. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2004.- Т. 39, № 6.- С. 389-397.

2005

Вольт-амперные характеристики и температурные зависимости тока образцов из кремния со слоем пористого кремния в электролите /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, А. С. Степанян, Х. С. Мартиросян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 1.- С. 43-48.

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, Л. А. Микаелян, Ваз. В. Буниатян, П. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 2.- С. 133-139.

Емкостный метод определения параметров пористого кремния /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- 40. № 4.- С. 270-277.

Пондеромоторный сенсор наномасштабных сил и перемещений /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян, Г. А. Мнацаканян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 6.- С. 433-439.

2006

Автоматизированная система для исследования спектральных зависимостей оптических и фотоэлектрических характеристик полупроводников /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, А. Л. Кесоян //Известия НАН РА. Физика.- 2006.- Т. 41, № 4.- С. 296-301.

О возможности создания режима ближнего поля для наноисследований в электронике /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян //Доклады НАН РА.- 2006.- Т. 106, № 4.- С. 319-326.

2007

Вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния при адсорбции моноокиси углерода /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян //Известия НАН РА. Физика.- 2007.- Т. 42, № 4.- С. 236-241.

О возможности проведения дистанционного научного эксперимента в режиме реального времени с использованием сети Интернет /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, А. Л. Кесоян, Дж. Лопез //Доклады НАН РА.- 2007.- Т. 107, № 2.- С. 132-139.

Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb0.22Sn0.78TeGe /В. М. Арутюнян, А. И. Ваганян, Е. М. Багиян, А. О. Епремян, В. К. Абраамян //Известия НАН РА. Физика.- 2007.- Т. 42, № 2.- С. 96-102.

2008

Գերբարձր հաճախականային կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի հիմունքներ։ Ուսումնական ձեռնարկ /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան, ԵՊՀ հրատ., 2008.- 286 էջ:

Применение пористого кремния для двух- и трехслойных антиотражающих покрытий для кремниевых фотовольтаических преобразователей /В. М. Арутюнян, Х. С. Мартиросян, А. С. Оганнисян, П. Г. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2008.- Т. 43, № 2.- С. 111-119.

Шумы в пористых кремниевых структурах в воздухе и в условиях газовой адсорбции /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2008.- Т. 43, № 3.- С. 204-210.

Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 227-228.

Double-layer diamond-like carbon antireflection coatings for GaAs solar cells /V. M. Aroutiounyan, A. S. Hovhannisyan, Kh. S. Martirosyan P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 74-77.

Investigation of glucose sensitivity of porous silicon /V. M. Aroutiounyan, A. S. Hovhannisyan, Kh. S. Martirosyan, V. E. Galstyan //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 38-42.

Manufacture and investigation of hydrogen sensitive TiO2-x OR ZnOAl film-porous silicon devices /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, V. E. Galstyan, Kh. S. Martirosyan, P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 3.- PP. 219-226.

Shape transition of strain-induced inassbp islands at liquid-phase epitaxy on InAs (100) SUBSTRATE: From pyramid to semiglobe /V. M. Aroutiounyan, K. Gambaryan, A. Simonian, Torsten Boeck //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 3.- PP. 208-218.

The liquid phase epitaxy of self–assembled InAsSbP–based strain induced islands on InAs substrates and their evolution from pyramids to quantum dots /V. M. Aroutiounyan. K. M. Gambaryan. T. Boeck, M. Schulze, P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 28-37.

2009

Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ.- Երևան: ԵՊՀ հրատ., 2009.- 342 էջ:

Влияние дополнительного электрического поля на двулучепреломление нематического жидкого кристалла /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, Н. В. Каманина, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян, Д. К. Похсрарян //Известия НАН РА. Физика.- 2009.- Т. 44, № 6.- С. 433-443.

Исследование характеристик жидкокристаллических электрически-управляемых фазовых пластинок /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, В. Г. Бабаджанян, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян, А. Т. Погосян, Д. К. Похсрарян //Известия НАН РА. Физика.- 2009.- Т. 44, № 2.- С. 124-132.

Investigations in the field of solar cells at yerevan state university //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- PP. 237-251.

Improvement and stabilization of thin-film hydrogen sensors parameters /V. M. Aroutiounyan, A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, K. D. Schierbaum, S. D. Han //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- PP. 200-212.

Melist Movsessian //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- P. 252.

Nucleation mechanism of strain-induced inassbp quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs (100) substrate /V. M. Aroutiounyan, K. M. Gambaryan, N. G. Alaverdyan, A. K. Simonyan //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, № 4.- PP. 268-273.

2010

Газовый сенсор на основе наноразмерной пленки In2O3:Ga2O3 /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, А. З. Адамян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2010.- Т. 45, № 6.- С. 447-455.

Улучшение времени включения жидкокристаллического фазового модулятора с помощью дополнительного управляющего напряжения /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян //Известия НАН РА. Физика.- 2010.- Т. 45, № 6.- С. 429-439.

Influence of reduction in heat of adsorption of gas on noise in gas sensors /V. M. Aroutiounyan, V. G. Paremuzyan //Armenian Journal of Physics.- 2010.- Vol. 3, N 2.- PP. 131-137.

2011

Gas monitoring system /V. M. Aroutiounyan, D. Pokhsraryan H. Chilingaryan //Armenian Journal of Physics.- 2010.- Vol. 3, N 1.- PP. 78-81.

Исследование газового сенсора на основе пленки In2O3:Ga2O3 /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2011.- Т. 46, № 2.- С. 132-143.

Сенсорные свойства структур со слоем пористого кремния /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Ш. А. Гегамян //Известия НАН РА. Физика.- 2011.- Т. 46, № 3.- С. 210-216.

Investigation of Hydrogen Sensor Made of Zno Thin Film /V. M. Aroutiounyan, V. E. Galstyan, V. M. Arakelyan, G. E. Shahnazaryan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 160-165.

Manufacture of cnt/sno2 tube gas sensor made by sol-gel method /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, E. A. Khachaturyan, G. E. Shahnazaryan, M. S. Aleksanyan, K. M. Gambaryan, E. Horvath, R. Smajda //Armenian Journal of Physics.- 2011.- Vol. 4, N 4.- PP. 206-210.

2012

Особенности конкурирующего зародышеобразования квантовых точек и нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C /В. М. Арутюнян, А. К. Симонян, Л. Г. Мовсесян //Известия НАН РА. Физика.- 2012.- Т. 47, № 4.- С. 265-276.

Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырехкомпонентных InAsSbP наноструктур /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, И. Г. Арутюнян, М. С. Казарян //Известия НАН РА. Физика.- 2012.- Т. 47, № 3.- С. 193-200.

GaAsSbP quasiternary material system: nanostructures growth features and immiscibility analysis /V. M. Aroutiounyan, K. M. Gambaryan, A. K. Simonyan //Armenian Journal of Physics.- 2012.- Vol. 5, N 3.- PP. 156-163.

Re-circulating chillers for the Laboratory //Armenian Journal of Physics.- 2012.- Vol. 5, N 3.- P. 164.

Theory of gas sensor made of field-effect transistor with nanotubes /V. M. Aroutiounyan, B. V. Mnatsakanyan //Armenian Journal of Physics.- Vol. 5, N 1.- PP. 15-20.

2013

Газовые сенсоры на основе многослойнных углеродных нанотрубок, модифицированных двуокисью олова /В. М. Арутюнян, В. М. Аракелян, М. С. Алексанян, Р. В. Оганесян, Г. Э. Шахназарян, К. Эрнади, З. Немет, Л. Форро //Известия НАН РА. Физика.- 2013.- Т. 48, № 4.- С. 266-276.

Оствальдовское созревание при наноинженерии сферических и эллипсоидальных квантовых точек InAsSbP на поверхности InAs(100) /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, П. Г. Сукиассиан, Т. Боек, Я. Шмидтбауэр, Р. Бансен //Известия НАН РА. Физика.- 2013.- Т. 48, № 1.- С. 55-62.

Band Gap Opening in Graphene //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 3.- PP. 141-148.

BaxSr1-x TiO3/pc-Si heterojunction /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan, C. Huck, A. Poghossian, M. J. Schoening //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 4.- PP. 177-187.

BaxSr1-x TiO3/pc-Si heterojunction capacitance /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan, C. Huck, A. Poghossian, M. J. Schoening //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 4.- PP. 188-197.

Enlarging the surface area of monolayer graphene synthesized by mechanical exfoliation /V. M. Aroutiounyan, G. Sh. Shmavonyan, G. G. Sevoyan //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 1.- PP. 1-6.

2014

Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов /В. М. Арутюнян, Г. Ш. Шмавонян, О. А. Задоян, К. М. Гамбарян, А. М. Задоян //Известия НАН РА. Физика.- 2014.- Т. 49, № 6.- С. 393-399.

Статические и шумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров /В. М. Арутюнян, Р. В. Оганесян, Г. Д. Хондкарян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Б. О. Семерджян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2014.- Т. 49, № 4.- С. 241-251.

2015

Влияние влажности на запрещенную зону графена /В. М. Арутюнян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 3.- С. 350-356.

Газовые сенсоры на основе декорированных углеродных нанотрубок //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 4.- С. 448-475.

Управление излучением в среднем ИК диапазоне длин волн с помощью жидкокристаллической фазовой решетки /В. М. Арутюнян, Д. Л. Оганесян, А. Л. Маргарян, Н. Г. Акопян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 1.- С. 74-84.

2016

Исследование нанокомпозитных толстопленочных сенсоров паров бутанола /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, А. Г. Саюнц, Э. А. Хачатрян //Известия НАН РА. Физика.- 2016.- Т. 51, № 2.- С. 192-201.

2017

Запись геометрических фазовых элементов на основе жидкокристаллических полимеров /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. К. Абрамян, Д. Л. Оганесян, Н. Г. Акопян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин //Известия НАН РА. Физика.- 2017.- Т. 52, № 3.- С. 353-360.

Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP / /В. М. Арутюнян, В. Г. Арутюнян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2017.- Т. 52, № 1.- С. 60-67.

Sensor for Detection of Chemical Agents Made of Co-Doped SnO2 /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, M. S. Aleksanyan, A. G. Sayunts, G. E. Shahnazaryan, M. Vrnata, P. Fitl, J. Viček, K. S. Gharajyan, H. S. Kasparyan //Armenian Journal of Physics.- 2017.- Vol. 10, N 3.- PP. 122-127.

2018

Создание и исследование фотовольтаических преобразователей на основе поликристаллического кремния, выращенного на боросиликатном стекле /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, T. Boeck, R. Bansen, C. Ehlers //Известия НАН РА. Физика.- 2018.- Т. 53, № 4.- С. 468-476.

Conductometric sensor for hydrogen peroxide vapors detection /V. M. Aroutiounyan, G. H. Shahkhatuni, V. M. Arakelyan, M. S. Aleksanyan, G. E. Shahnazaryan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 153-159.

Flexible Gas Detector /V. M. Aroutiounyan, V. Kirakosyan /V. M. Aroutiounyan, V. Kirakosyan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 160-165.

Hydrogen Peroxide Solid-State Sensors (Review Article) //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 1.- PP. 39-60.

2019

Исследование сенсора на основе ZnO:La для детектирования паров перекиси водорода методом импедансной спектроскопии /В. М. Арутюнян, Г. А. Шахатуни, В. М. Аракелян, М. С. Алексанян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 2.- С. 253-262.

Исследование сенсоров паров перекиси водорода, изготовленных на основе углеродных нанотрубок, покрытых наночастицами двуокиси олова /В. М. Аракелян, З. Н. Адамян, А. Г. Саюнц, Э. А. Хачатурян, В. М. Арутюнян, B. Joost //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 1.- С. 75-84.

Медицинская диагностика с использованием микроэлектронных полупроводниковых газовых сенсоров //Доклады НАН РА.- 2019.- Т. 119, № 3.- С. 265-273.

Металоксидные наносенсоры изготовленные из полупроводниковых метал оксидов //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 4.- С. 485-501.

Метод оптической записи упорядоченных микроструктур на основе жидкокристаллического полимера /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, П. К. Гаспарян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин, Д. Н. Чаусов //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 1.- С. 36-43.

Механизм зародышеобразования и расчет полной энергии наноструктур в материальной системе CdTe-ZnTe-HgTe /В. М. Арутюнян, А. К. Симонян, К. М. Гамбарян, М. К. Гамбарян, Г. А. Аветисян //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 4.- С. 478-484.

Энергия формирования собственных и примесных дефектов диоксида олова /В. М. Арутюнян, А. А. Унанян, М. A. Агамалян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.– 2019.- Т. 54, № 3.- С. 378-383.

Semiconductor Gas Sensors Using Arduino Nano /V. M. Aroutiounyan, A. Hovhannisyan //Armenian Journal of Physics.- 2019.- Vol. 12, N 4.- PP. 325-328.

2020

Влияние ультрафиолетовых лучей на вольт-емкостную характеристику SnO2:Co сенсора паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, А. А. Закарян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.– 2020.- Т. 55, № 2.- С. 218-227.

Газовые сенсоры из оксида цинка //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 4.- С. 501-518.

Датчики ацетона из двуокиси олова //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 325-342.

Исследования взаимодействия H2O2 с поверхностью SnO2 (110) из первых принципов /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, А. А. Унанян, А. Г. Саюнц, М. С. Алексанян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 358-365.

Исследование сенсора для обнаружения паров перекиси водорода под действием ультрафиолетового излучения /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, А. А. Унанян, А. Г. Саюнц, М. С. Алексанян, А. А. Закарян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 312-324.

Материальная система CdTe–ZnTe–HgTe: анализ смешиваемости твердых растворов /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, А. К. Симонян, М. К. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 4.- С. 519-526.

Microelectronic Gas Sensors for Non-invasive Analysis of Exhaled Gases //Medical Science of Armenia.- 2020.- Vol. 60, N 1.- PP. 3-15.

2021

Геометрические особенности и численный анализ трансформации поверхности микро- и наноструктур состава InAsSbP при зародышеобразовании из жидкой фазы /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 208-217.

Влияние ультрафиолетовых лучей на чувствительность сенсора для обнаружения паров ацетона //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 172-183.

Исследование чувствительности к сжиженному нефтяному газу SnO2 пленки /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 218-227.

Исследования характеристик сенсора для обнаружения низких концентраций аммиака /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г.; Саюнц, Г. А. Шахатуни, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 4.- С. 526-533.

Неинвазивные металоксидные сенсоры на выдыхаемый диабетиком ацетон //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 184-207.

Полупроводниковые датчики перекиси водорода //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 4.- С. 494-523.

Cobalt Doped SnO2 Thin Film for Detection of Vapor Phase Hydrogen Peroxide //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 8-18.

Information about Artificially Intelligent Nanoarray for Detection of Various Diseases in Nanomedicine //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 3.- PP. 148-150.

Single Wall Carbon Nanotube Gas Sensors //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 74-84.

Study of MWCNT / SnO2/Ru thick-film sensors for detecting thepresence of certain harmful gases in air //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 49-73.

2022

Адсорбция пероксида водорода на двумерных халькогенидах переходных металлов /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, Е. Ш. Мамасахлисов, Е. В. Суханова, А. Г. Квашнин, З. И. Попов, А. А. Захарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 248-253.

Газовые и био-сенсоры из оксидов металлов, легированных углеродными нанотрубками //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 1.- С. 76-108.

Гибкий SnO2/МСУНТ сенсор для обнаружения низких концентраций паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, З. Г. Симонян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 194-203.

Использование в медицине полупроводниковых сенсоров газов, изготовленных из наноматериалов //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 3.- С. 386-401.

Исследование импедансных характеристик наноструктурного ZnO сенсора паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян,Г. А. Шахатуни, М. С. Алексанян, З. Г. Симонян, А. Г. Саюнц //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 3.- С. 374-385.

О нанотераностике и анализе дыхания пациентов с раковой опухолью //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 288-305.

Об не-инвазивных измерениях глюкозы //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 4.- С. 595-611.

Применение наноструктурной пленки Fe2O3:ZnO для обнаружения водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, З. Г. Симонян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 204-211.

Exhaled Breath Semiconductor Sensors for Diagnostics of Respiratory Diseases //Armenian Journal of Physics.- 2022.- Vol. 15, N 1.- PP. 13-24.

Saliva Sensors //Armenian Journal of Physics.- 2022.- Vol. 15, N 4.- PP. 131-140.