О поляризации электронов при упругом рассеянии на ядрах //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1961.- Т. 14, № 6.- С. 93-98.


Զվարթնոցի պալատն ու հարակից շենքերը //ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Հասարակական գիտություններ.- 1962.- № 12.- Էջ 41-60:

О реакции π+p→n+e+ + eˉ /В. М. Арутюнян, Э. В. Чубарян //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1962.- Т. 15, № 4.- С. 81-84.

О фоторождении π- и К-мезонов //Известия АН АрмССР. Серия физико-математических наук.- 1962.- Т. 15, № 3.- С. 85-98.


Прохождение электромагнитного излучения через резонансную среду //Доклады АН АрмССР.- 1966.- Т. 43, № 3.- С. 129-132.

Уравнения резонансной среды /В. М. Арутюнян, М. Л. Тер-Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1966.- Т. 43, № 2.- С. 91-95.

Электромагнитные колебания в резонансной среде /Известия АН АрмССР. Физика.- 1966.- Т. 1, № 2.- С. 111-120.


Динамика мод в закрытом генераторе /В. М. Арутюнян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1967.- Т. 44, № 4.- С. 167-170.


Քվանտային մեխանիկա: Դասախոսություններ: Պրակ 1 /Վ. Մ. Հարությունյան, Գ. Ս. Սահակյան, Է. Վ. Չուբարյան.- Երևան: Լույս, 1968.- 220 Էջ:

Влияние уровней прилипания на вольтамперную характеристику диода /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1968.- Т. 3, № 3.- С. 200-210.

К вопросу о прохождении тока через полупроводник, содержащий глубокие уровни /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Доклады АН АрмССР.- 1968.- Т. 46, № 5.- С. 228-231.


О влиянии ударной ионизации у тылового контакта на вольт-амперную характеристику длинных диодов /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы II Республиканской конференции молодых научных работников Армении, посвященной 50-летию Ленинского комсомола14-16 октября, 1968.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1969.- С. 301-302.

Влияние ударной ионизации уровней прилипания на вольт-амперную характеристику диода, работающего в режиме двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Физика и техника полупроводников.- Ленинград.- 1969.- Т. 3, вып. 7.

К вопросу двойной и лавинной инжекции в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 2.- С. 71-82.

К вопросу о лавинной инжекции в компенсированных полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 5.- С. 307-317.

Отрицательное сопротивление в структурах //Известия АН АрмССР. Физика.- 1969.- Т. 4, № 5.- С. 318-328.

Усредненные уравнения для интенсивности электромагнитных волн в среде, учитывающие интерференцию /В. М. Арутюнян, Ю. П. Малакян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 48, № 4.- С. 203-207.

Учет когерентности при прохождении импульса излучения через фототропную среду с обратной связью /В. М. Арутюнян, В. О. Чалтыкян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 48, № 3.- С. 129-133.

Уширение спектра излучения при прохождении через резонансную среду /В. М. Арутюнян, Н. Н. Бадалян, В. А. Ирадян, М. Е. Мовсесян //Доклады АН АрмССР.- 1969.- Т. 49, № 1.- С. 28-32.


Прохождение тока через компенсированные полупроводники /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы III Республиканской научной конференции молодых ученых Армении, посвященной 100-летию со дня пождения В. И. Ленина.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1970.- С. 82-83.

Эмиссионный механизм образования участка отрицательного сопротивления на статической вольт-амперной характеристике диодов /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы III Республиканской научной конференции молодых ученых Армении, посвященной 100-летию со дня пождения В. И. Ленина.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1970.- С. 83.

Эффекты радиационного затухания в поле интенсивной плоской волны /В. М. Арутюнян, А. О. Меликян //Доклады АН АрмССР.- 1970.- Т. 50, № 2.- С. 98-101.


Влияние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян //Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов.- Тбилиси: Изд. Мецниереба, 1971.- С. 50-51.

Влияние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян //Материалы IV Республиканской научной конференции молодых ученых работников, посвященной 50-летию Ленинского комсомола Армении, апрель, 1971.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1971.

Отражение электронов от плоской электромагнитной волны в среде /В. М. Арутюнян, Г. К. Аветисян //Доклады АН АрмССР.- 1971.- Т. 52, № 4.- С. 221-223.

Статические и импульсные характеристики симметричных структур на основе кремния, компенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов.- Тбилиси: Изд. Мецниереба, 1971.- С. 49-50.

Статические и импульсные характеристики симметричных структур на основе кремния, компенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Материалы IV Республиканской научной конференции молодых ученых работников, посвященной 50-летию Ленинского комсомола Армении, апрель, 1971.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1971.- С. 194-195.

Формирование участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике p+nn+ структур /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Р. С. Барсегян //Доклады АН АрмССР.- 1971.- Т. 53, № 4.- С. 218-223.


К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания: Материалы Совещания по глубоким центрам в полупроводников /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.- Одесса: Изд. Одесского ГУ, 1972.

Влиянние заполнения уровней прилипания с ростом тока на формирование отрицательного сопротивления в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Р. С. Барсегян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1972.- Т. 7, № 1.- С. 55-63.

Электрические свойства структур, изготовленных на основе кремния, перекомпенсированного кадмием /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. А. Тарумян //Физика и техника полупроводников.- Ленинград.- 1972.- Т. 6, вып. 4.


Умножение тока и сопутствующие ему явления при движении домена сильного электрическогополя в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1973.- 64 с .

Физика двойного срыва в приборах на основе компенсированных полупроводников //Материалы Совещания молодых ученых Армении.- Ереван: Изд. Ер. физ. инст., 1973.

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1973.- Т. 8, № 6.- С. 429-437.

Некоторые исследования кремниевых диодов с примесью цинка как элементов оптронной пары /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, С. В. Оганесян //Доклады АН АрмССР.- 1973.- Т. 57, № 3.- С. 152-157.


Հայ ժողովրդի պատմություն: Հտ. 5.- Երևան: ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ., 1974.- Էջ 647-658.- Ճարտարապետություն:

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы совещания.- Ереван, 1974.

О возникновении на вольт-амперной характеристике диодов Ганна участка отрицательного сопротивления S - типа /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы докладов I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

О возникновении на вольт - амперной характеристике диодов Ганна участка отрицательного сопротивления S - типа /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Ударная ионизация в движущемся домене сильного электрического поля и сопутствующие ей процессы в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Материалы II симпозиума по физике плазмы и эл. неуст. в твердых телах.- Вильнюс: Изд. ИФП АН Лит.ССР.- 1974.

Умножение носителей заряда в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы докладов I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Умножение носителей заряда в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды I Всесоюзного симпозиума "Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна".- Новосибирск: Изд. СО АН СССР, 1974.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Тезисы совещания.- Ереван, 1974.

Физ явления в p-n переходах в полупроводниках: Сборник.- Томск: Изд. Томск. ГУ, 1974.- Прохождение тока через симметричные двухэлектродные структуры /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц.

Двойная инжекция в кремний, компенсированный цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 6.- С. 484-497.

Двойная инжекция в полупроводниках, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 4.- С. 316-321.

Двойная инжекция в полупроводниках с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 3.- С. 197-207.

К теории эффекта Ганна в сильно-легированных полупроводниках /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Доклады АН АрмССР.- 1974.- Т. 59, № 1.- С. 32-38.

Умножение ток Резонансные эффекты при движении заряженной частицы в поле плоской электромагнитной волны и постоянном магнитном поле в среде /В. М. Арутюнян, Г. К. Аветисян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1974.- Т. 9, № 2.- С. 110-119.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия ВУЗ-ов СССР. Радиоэлектроника.- 1974.- Т. 17, № 11.

Current multiplication and related phenomena in the process of strong electric field domain motion in Gunn diodes: Panstwowe Way dawn. Naukowe /V. M. Aroutiounyan, G. M. Avakyants //Mikrofalowa elektronica ciala stalego. Cz. 1.- Warszawa, 1974.


Влияние глубоких примесных уровней на электрофизические параметры диодов ганна, инжекционно-пролетных диодов ИS-фото-приемников инфракрасного диапазона /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, А. Г. Варосян, Ф. В. Гаспарян.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1975.- 96 с.

Влияние полевой зависимости коэффициента диффузии электронов на параметры симметричного домена в диодах Ганна из сильнолегированного арсенида галлия /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Труды III Совещания по GaAs.- Ереван, 1975.

К теории двойной инжекции в полупроводниках, компенсированный примесью, создающей глубокий акцепторный уровень в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1975.- Вып. 8.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов в режиме прокола при малом уровне инжекции /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XVIII научной конференции профессорско-преподавательского состава ВУЗ-ов Закавказских республик.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1975.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов при большом уровне инжекции /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XVIII научной конференции ппрофессорско-преподавательского состава ВУЗ-ов Закавказских республик.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1975.

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды III совещания по GaAs.- Томск: Изд. Томского ГУ, 1975.

Умножение тока в двухдолинных полупроводниках типа GaAs /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Труды III Совещ. по GaAs.- Томск: Изд. Томского ун-та., 1975.

Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 4.- С. 283-290.

Импульсные характеристики S-диодов из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц, Э. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 1.- С. 43-49.

Накопление избыточных электронов и дырок в движущихся доменах сильного электрического поля при наличии умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 2.- С. 115-121.

Поведение атома в резонансном поле встречных волн /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян //Доклады АН АрмССР.- 1975.- Т. 60, № 5.- С. 275-278.

Примесная фотопроводимость в кремнии, компенсированного кобальтом /В. М. Арутюнян, И. А. Саркисян //Физика и технология полупроводников.- 1975.- Т. 9, вып. 7.- Переведен на английский язык.

Скорость домена в условиях умножения тока /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1975.- Т. 10, № 3.- С. 189-195.

Investigation of Zinc Doped Silicon p+nn+ structures as Light-sensitive Devices //Electron Technology.- Warszawa.- 1975.- Vol 8, N 3/4.


Հայ ժողովրդի պատմություն: Հտ. 3.- Երևան: ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ., 1976.- Էջ 366-395.- Ճարտարապետություն:

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов II конференции молодых ученых Армении.- Ереван, 1976.

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Труды II Всесоюзной конференции по фотометрии и ее метрологическому обеспечению.- Москва: Изд. ВНИИОФИ, 1976.

Влияние освещения на S - диоды изготовленные из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 2, № 6.- С. 449-457.

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов республиканского совещания "Проблема теории чувствит. электронных и электромехан. устройств и систем.- Владимирск: Изд. Владимирск. ПИ., 1976.

Вынужденные дифракционные эффекты на щели в непрозрачном экране /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян.- Ереван, 1976.- 10 с.

Генерационные и шумовые характеристики S - фотоприемников из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Н. П. Гарбар, Н. П. Лукьяничкова //Труды II Всесоюзной конференции по фотометрии и ее метрологическому обеспечению.- Москва: Изд. ВНИИОФИ, 1976.

Спектрально-угловое распределение резонансного ВЧПР в парах калия /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, Г. М. Арзуманян, Т. Э. Меликсетян.- Ереван, 1976.- 26 с.

О возможности генерации ультрафиолетового излучения в парах щелочных металлов при двухфотонной оптической накачке /В. М. Арутюнян, Э. Г. Канецян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 3.- С. 234-237.

Параметрическое взаимодействие двух волн с учетом угловой структуры рассеянного излучения /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 6.- С. 427-435.

Разбиение импульсов в условиях двухфотонного резонанса /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1976.- Т. 11, № 1.- С. 27-33.

Средняя по времени вольт-амперная характериситика диодов Ганна при ударной ионизации и движущемся домене /В. М. Арутюнян, Г. М. Авакьянц //Радиотехника и электроника.- Москва.- 1976.- Т. 21, № 9.

Стимулированное и рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Материалы совещании ПО "Позистор".- Ереван, 1976.

Усилитель и преобразователь света (квантов) /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1975.- Вып. II.


Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках.- Ереван: Изд. АН Арм. ССР, 1977.- 326 с.

Исследования по генерационно-рекомбинационным эффектам и двойной инжекции в полупрводниках со сложной зонной схемой: Диссертация, предст. на соиск. уч. степ. д. ф.- м. н. Автореферат к ней (28 с.).- Вильнюс: Вильнюсский госуниверситет, 1977.- 381 с.

Отчет о командировке в Великобританию.- Москва: Изд. ВИНИТИ, 1977.- 16 с.

Стимулированное и рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Тезисы докладов III симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс: Изд. ИФП АН ЛитССР.- 1977.

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 2.- С. 123-128.

Влияние ударной ионизации глубоких уровней на среднюю по времени вольт-амперную характеристику диодов Ганна //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 1.- С. 48-53.

Вынужденные дифракционные эффекты на щели в непрозрачном экране /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 6.- С. 443-448.

Высокочувствительный инфракрасный радиометр /В. М. Арутюнян, Э. Г. Мирзабекян, Ю. А. Абрамян, З. Н. Адамян, Р. Г. Симонян //Доклады АН АрмССР.- 1977.- Т. 64, № 5.- С. 285-290.

К теории доменной электрической неустойчивости в двухдолинных полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 1.- С. 41-47.

Спектрально-угловое распределение резонансного ВЧПР в трехуровневой среде /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, Г. М. Арзуманян, Т. Э. Меликсетян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1977.- Т. 12, № 5.- С. 338-346.

Условие инверсии населенностей в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Физика и технология полупроводников.- 1977.- Т. II, № 2.

The influence of capture of the injected current carriers on the characteristics of BARITT diodes /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan //Solid - State Electronics.- Oxford - New York: Pergamon Press.- 1977.- Vol. 20, N 5.


Авакьянц Г. М. Физические принципы проектирования мощных транзисторов и программы их машинного расчета /Отв. ред. В.М. Арутюнян.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1978.- 240 с.

Анализ работы инжекционно-пролетных БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания на большом сигнале /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Тезисы докладов XXV научно-технической конференции ЕрПИ.- Ереван: Изд. ЕрПИ, 1978.

Измерение поляризации света при однофотонном резонансе /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц.- Ереван, 1978.- 22 с.

К теории двойной инжекции в GaAs, компенсированный железом /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Арсенид галлия: Сборник.- Томск: Изд. Томск. ГУ, 1978.

Малосигнальные характеристики электронно-дырочной плазмы, инжектированной в базу "длинных" p+nn+ - структур /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Материалы IX Всесоюзной совещании по теории полупроводников.- Тбилиси: Изд. Тбил. ГУ, 1978.

Влияние захвата на ловушки инжектированных в пролетное пространство носителей заряда на характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1978.- Т. 13, № 3.- С. 189-194.

Инерционные эффекты в БАРИТТ- диодах с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия ВУЗ-ов Литвы. Радиоэлектроника.- Вильнюс: Изд. Высш. школа.- 1978.

О значении тимуса в противобруцеллезном иммунитете /В. М. Арутюнян, М. Г. Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1978.- Т. 66, № 1.- С. 61-64.

Скорость генерации электронно-дырочных пар и время нарушениякогерентностиколебаний при ударной ионизации в диодах Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1978.- Т. 13, № 5.- С. 371-375.

Тиреотропная функция гипофиза при бруцеллезе /В. М. Арутюнян, М. Г. Микаелян //Доклады АН АрмССР.- 1978.- Т. 67, № 3.- С. 184-187.

Impledance of p+nn+ structures based on semiconductors compensated by deep double ionized centre /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan //Akademie Verlag DDR Berlin. Physica Status Solidi(a).- 1978.- Vol 49, N 2.


Индуцированная оптическая анизотропия газа в поле лазерного излучения /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1979.- Т. 14, № 2.- С. 87 -93.

Исследование влияния содержания ниобия в фотоэлектродах из поликристаллической двуокиси титана на фотолиз воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян //Ученые записки ЕГУ.- 1979.- Вып. 1.- С. 63-70.

Лавинный фотодиод /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //АС № 784653. Приоритет от 16.07.1979 г. Не подл. опублик.

Рекомбинационное излучение из диодов Ганна /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Проводники и диэлектрики. Сборник.- Киев: Изд. Вища школа, 1979.- Вып. 15.

Фотоприемники на основе симметричных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян, З. Н. Адамян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Киев: Изд. Наукова думка, 1979.

Исследование индуцированной оптической анизотропии в парах натрия /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян, А. В. Карменян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1979.- Т. 14, № 2.- С. 123-126.

Малосигнальные характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Радиотехника и электроника.- 1979.- Т. 24, № 5.

Шумовые характеристики БАРИТТ - диодов с ловушками /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия ВУЗ-ов Литвы. Радиоэлектроника.- 1979.

The noise characteristics of BARITT diodes with traps /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan //IEE Gr. Britain London. Solid-State and Electron Devices.- 1979.- Vol. 3, N 5.


Анализ работы инжекционно-пролетных БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания на большом сигнале /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1980.- № 2.

Влияние градиента концентрации глубоких центров на свойства S - фотоприемников /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы I республиканской научно-технической конференции "Оптические системы связи".- Ереван, 1980 г.

Ударная ионизация в варизонных полупроводниках /В. М. Арутюнян, С. Г. Петросян //Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс, 1980.

Шумовые свойства БАРИТТ - диодов с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1980.- Вып. 4.

Влияние степени восстановления полупроводникового фотоэлектрода из двуокиси титана на эффективность фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян, А. А. Погосян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1980.- № 6.- С. 11-17.

Импеданс p+nn+ структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия АН АрмССР.- Физика.- 1980.- Т. 15, № 4.- С. 274-279.

Исследование фотолиза воды с фотоэлектродами из области гомогенности TiO /В. М. Арутюнян, В. М. Аракелян, Р. С. Акопян, А. О. Аракелян, Р. С. Вартанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 3.- С. 221-224.

Лавинный фотодиод /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //АС № 854213. Приоритет от 18.03.1980 г. Не подл. опублик.

Некоторые особенности лавинного умножения в варизонных полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Я. Вуль, С. Г. Петросян, Ю. В. Шмарцев //Письма в журнал технической физики.- 1980.- Т. 6, № 14.

Преобразование солнечной энергии методом фотолиза воды с помощью полупроводниковых фотоэлектродов на основе ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, А. О. Аракелян, А. Л. Маргарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 6.- С. 438-443.

Теория квазиволноводной генерации активного слоя /В. М. Арутюнян, Г. П. Джотян, А. В. Карменян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1980.- Т. 15, № 5.- С. 379-401.

Ударная ионизация в варизонной nip структуре /В. М. Арутюнян, С. Г. Петросян //Физика и технология полупроводников.- 1980.- Т. 14, вып. 10.


Основы микроэлектроники: Курс лекций: Ч. 1.- Ереван: ЕГУ, 1981.- 95 с.

Влияние степени восстановления рутилового фотоэлектрода на эффективность преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, Р. С. Вартанян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 149-150.

Координатный фотоприемник /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, С. Г. Петросян, А. Е. Хачатрян //АС № 1018559. Приоритет от 05.01.1981 г. Не подл. опублик.

Полупроводниковый анод /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, А. В. Вартанян //АС № 969786. Приоритет от 06.03.81 г.

Преобразование солнечной энергии методом фотоэлектролиза воды с помощью фотоанодов на основе TiO2 и ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян //Сборник материалов юбилейных научных сессий.- Ереван: Изд. ЕГУ, 1981.- С. 130-143.

Спектральные характеристики фототока и эффективности преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян, А. В. Вартанян, А. Л. Маргарян, А. А. Погосян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 142-143.

Статические и эксплуатационные характеристики диодов из компенсированного цинком кремния при электронном возбуждении /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян //Ученые записки ЕГУ.- 1981.- Вып. 3.

Фотоэлектролиз воды с фотоэлектродами из легированных полупроводниковых окислов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян, Г. М. Степанян //Материалы I Всесоюзной конференции "Пути преобразование солнечной энергии".- Черноголовка, 1981.- С. 150-151.

Влияние поверхностной рекомбинации на эффективность воды /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. Л. Маргарян, А. Г. Саркисян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1981.- № 4.- С. 3-10.

О двойном срыве диодов из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1981.- Т. 16, № 1.- С. 50-57.

Распределение потенциала в фоточувствительной p-n-p-структуре из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, З. Н. Адамян, Т. А. Ншанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1981.- Т. 16, № 3.- С. 226-229.

Фотоэлектролиз воды с фотоэлектродами на основе двуокиси титана /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян, А. О. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Электрохимия.- 1981.- Т. 17, № 10.- С. 1471-1476.

Чувствительность S - фотодиодов при наличии градиента концентрации глубоких центров /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Физика и технология полупроводников.- 1981.- Т. 15, вып. 10.


Анод для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. М. Аракелян //АС № 1111507. Приоритет от 26.05. 1982 г. Не подл. опублик.

Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ) для определения активности (концентрации) ионов в биологических жидкостях и электролитах /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. С. Саркисян, Р. А. Багдасарян //Сборник Кровоснабжение, метаболизм и функция органов при реконструктивных операциях.- Ереван, 1982.

Исследование катионной чувствительности ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Р. А. Багдасарян //Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Ионоселективные электроды и ионный транспорт".- Лениниград: Изд. Наука, 1982.

Магниточувствительный полупроводниковый прибор /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, С. Н. Гаспарян, И. Д. Степанян //АС № 1114269. Приоритет от 03.08.1982 г. Не подл. опублик.

Малосигнальный анализ субкритически легированных диодов Ганна с уровнями прилипания /В. М. Арутюнян, А. Г. Варосян //Ученые записки ЕГУ.- 1982.- Вып. I.

О возможности записи лазерного излучения на трехкомпонентных халькогенидных пленках /В. М. Арутюнян, С. Н. Гаспарян, А. Л. Оганова, И. Д. Степанян //Сборник трудов IV всесоюзной конференции по голографии: Т. 1.- Ереван, 1982.

Об одной особенности прохождения тока через варизонные структуры /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Материалы III Всесоюзной конференции по физ. проц. в полупроводников. гетероструктурах:Ч. 1.- Одесса: Изд. Одесского ГУ, 1982.

Практикум по цифровой микроэлектронике /В. М. Арутюнян, М. Р. Микаелян.- Ереван: ЕГУ, 1982.- 64 с.

Преобразование солнечной энергии методом фотоэлектролиза воды с помощью фотоанодов на основе TiO2 и ZnO: Матер. сов - итальян. симпозиума 1982 г. /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. В. Вартанян, К. А. Мадатян //Сборник Альтернативной источники энергии: Ч. 2: Использование солнечной энергии.- Москва: Изд. ЭНИН, 1982.- С. 29-37.

Температурные зависимости отрицательной фотопроводимости и ИК гашения в S - фотоприемниках из Si /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян //Тезисы докладов II республиканской конференции по фотоэлектрические явлениям в полупроводниках.- Киев: Изд. Наукова думка, 1982.

Шумы в инжекционных диодах из полупроводников, компенсированных глубокими центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Тезисы II республиканской конференции по фотоэлектрические явлениям в полупроводниках.- Киев, 1982.

БАРИТТ-диоды на основе SiC(6H) /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Радиотехника и электроника.- 1982.- Т. 27, № 6.

Исследование распределения микропотенциалов в кремниевых p+nn+ диодных структурах из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, З. Н. Адамян, Т. А. Ншанян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1982.- Вып. 3 (154).

К теории двойной инжекции в структурах с варизонной базой /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 11.

Некоторые особенности генерационно-рекомбинационных процессов на переходе полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, Г. М. Степанян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 7.- С. 1298-1301.

Некоторые особенности светового переключения кремниевых S-фотоприемников, компенсированных никелем /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 2.- С. 97-101.

О влиянии гипоталамуса на функцию коры надпочечников при алоксановом диабете /В. М. Арутюнян, С. Е. Торосян, Г. А. Еганян //Доклады АН АрмССР.- 1982.- Т. 74, № 1.- С. 45-48.

Резонансный узкополосный фильтр /В. М. Арутюнян, Т. А. Папазян, С. М. Саркисян, С. П. Ишханян, И. Г. Арутюнян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 2.- С. 109-113.

Спектральные зависимости эффективности преобразования солнечной энергии методом фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, А. А. Погосян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1982.- Т. 17, № 1.- С. 31-36.

Физические свойства и функциональные возможности структур из кремния, компенсированного цинком //Микроэлектроника.- 1982.- Т. 12, № 6.

Фоточувствительные области в базе S - фотоприемников /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. Ш. Марукян, Ф. Г. Бадалян //Физика и технология полупроводников.- 1982.- Т. 16, № 5.

To Theory of small signal characteristics of p+nn+ structures based on semiconductors compensated by double ionized acceptor centres /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan //Electron Technology.- Warszawa: Institute of Electron Technology, 1982.- Vol.13, N 3.

1983

Аккумулирование солнечной энергии устройством для фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. О. Аракелян, А. А. Погосян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 177-179.

Варизонный лавинно-пролетный диод /В. М. Арутюнян, Л. Н. Григорян, С. Г. Петросян //Тезисы докладов V симпозиума "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках".- Вильнюс, 1983.

Датчики потока электронов из компенсированного цинком кремния /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 132-133.

Емкостной зонд напряженности электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 134-135.

Импульсное устройство для регистрации распределения напряженности электрического поля в материале /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //АС № 1129562. Приоритет от 05.08.1983 г.

Исследование ионной чувствительности структуры раствора электролит-диэлектрик-полупроводник, с целью создания биомедицинских датчиков активности (концентрации) ионов /В. М. Арутюнян, Р. А. Багдасарян, А. С. Погосян, А. С. Саркисян //Тезисы докладов I республиканской конференции по медицинской технике и кибернетике.- Ереван, 1983.

Исследование планарных симметричных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Физика и технология полупроводников.- 1983.- Т. 17, вып. 2.

К теории шумов p+nn+ структур из компенсированных полупроводников /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Ученые записки ЕГУ.- Ереван: Изд. ЕГУ, 1983.- Вып. 2.

Механизмы фотоэлектрохимического разложения воды с учетом поверхностных центров (состояний) /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, В. А. Меликсетян, А. Л. Маргарян, В. В. Меликян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 141-143.

Метод измерения распределения напряженности электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, С. Г.Маритросян //Тезисы докладов республиканской научной конференции молодых ученых по физике.- Ереван: Изд. АН АрмССР, 1983.- С. 136-137.

Об эффективности фотоэлектролиза воды с керамическими фотоанодами на основе TiO2 и ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Р. С. Акопян, Г. Э. Шахназарян, А. Р. Маилян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.- С. 198-200.

Поликристаллические электроды из селенида кадмия для регенеративных фотоэлектрохимических преобразователей /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян, Л. А. Арутюнян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1983.- № 1.- С. 6-10.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян, Д. С. Стребков //АС № 1085455. Приоритет от 22.02.1983 г. Не подл. опублик.

Регенеративные фотоэлектрохимические преобразователи солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1983.

Фотоэлектрохимические преобразователи солнечной энергии с применением халькогенидных полупроводников /В. М. Арутюнян, Л. А. Арутюнян, Т. А. Вартапетян,К. А. Мадатян //Солнечная фотоэлектрическая энергетика: Сборник.- Ашхабад, 1983.-С. 263-272.

Флуктуационные явления в S - диодах из компенсированного кремния /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Р. С. Барсегян, Ф. В. Гаспарян, З. О. Мхитарян, С. В. Мелконян, И. И. Сайдашев //Флуктуационные явления в физических системах: III Всесоюзная конференция, 28-29 сентября 1982 г., г. Вильнюс: Сборник материалов. - Вильнюс: М-во высш. и сред. спец. образования ЛитССР, 1983. - 212 с.

Характер образования фаз в TiO2 при ее частичном восстановлении и легировании /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Ю. В. Шмарцев, Г. А. Курбатов //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 3.- С. 184-188.

Экситонное электроотражение монокристаллов /В. М. Арутюнян, А. Р. Маилян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Тезисы докладов V Всесоюзного совещания "Физика и техника применения полупроводника А2В6": Т. 1.- Вильнюс, 1983.

Аэробический фотоэлектрохимический преобразователь регенеративного типа /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1983.- № 2.

Ионоселективный полевой транзистор /В. М. Арутюнян, Р. А. Багдасарян, А. С. Погосян //Электрохимия.- 1983.- Т. 19, № 11.

Исследование оптического поглощения легированного рутила /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, Г. А. Курбатов, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, К. К. Сидорин, Ю. В. Шмарцев //Физика твердого тела.- 1983.- Т. 25, № 3.- С. 942-944.

К теории физических процессов в магнитодиодах /В. М. Арутюнян, Г. В. Нанушян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 4.- С. 228-234.

Фотоэлектролиз воды с электродами на основе Fe2O3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Ж. Р. Паносян, Г. Э. Шахназарян, Г. М. Степанян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1983.- Т. 18, № 1.- С. 39-47.

Эффекты отрицательной дифференциальной проводимости и электролюминесценции на переходе окись цинка - электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. Р. Маилян, В. А. Меликсетян //Поверхность.- 1983.- Т. 1, № 4.- С. 147-150.

1984

Ֆիզիկայի խնդիրների ժողովածու. ԲՈՒՀ- երի դիմորդների համար /Վ.. Հարությունյան, Ս.. Պետրոսյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1984.- 109 Էջ:

Основы микроэлектроники: Курс лекций: Ч. 2.- Ереван: ЕГУ, 1984.- 83 с.

Фотоэлектрохимический преобразователь /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, Л. А. Арутюнян //АС № 1213922. Приоритет от 08.02.1984 г. Не подл. опублик.

Анод для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, Т. А. Вартапетян, А. А. Погосян //АС № 1187493. Приоритет от 27.04.1984 г. Не подл. опублик.

Влияние столкновений на комбинационное рассеяние /В. М. Арутюнян, Н. Ш. Баданян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 6.- С. 336-339.

Исследование фотоанодов из Fe2O36 легированной элементами IV группы /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Ученые записки ЕГУ.- 1984.- Вып. 1.- С. 73-78.

Исследование фотоанодов из Sr TiO3 /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, А. Г. Саркисян //Электротехническая промышленность.- 1984.- № 3.

Трансформирование энергетического разброса лазерной накачки процессом обращения волнового фронта /В. М. Арутюнян, А. Ж. Мурадян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 2.- С. 81-85.

Уравнения Блоха для перехода 1/2-1/2 /В. М. Арутюнян, Д. Г. Акопян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1984.- Т. 19, № 4.- С. 222-224.

Шумы в симметричных планарных структурах из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев //Физика и технология полупроводников.- 1984.- Т. 18, вып. 7.

Шумовые характеристики кремниевых диодов с применением серы /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян //Известия вузов СССР. Радиофизика.- 1984.- Т. 27, № 9.- С. 1218-1220.

1985

Исследование влияния фотоемкости перехода ZnO - электролит на процессы фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. А. Погосян, В. А. Меликсетян //Тезисы докладов II всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии": Т. 1.- Ереван, 1985.- С. 139-140.

Исследование электрофизических и электрохимических характеристик электродов на основе окиси железа /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов II всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии": Т. 1.- Ереван, 1985.

К теории магнитодиодов из компенсированных полупроводников /В. М. Арутюнян, Г. В. Нанушян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

О влиянии дефектов на некоторые характеристики магнитодиодов КД-304 /В. М. Арутюнян, В. О. Абовян, А. О. Аракелян, Г. А. Егиазарян, В. Ш. Марукян, Р. Э. Саруханян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Оптическое фазомодулирущее устройство /В. М. Арутюнян, М. В. Минасян, К. О. Хачатрян //АС № 1316426. Приоритет от 17.05.85 г. Не подл. опубл.

Особенности вольт-амперных характеристик структур с плавными гетеропереходами при двойной инжекции /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Ч. 1.- Минск, 1985.

Поверхностные электронно-дырочные капли в сильно возбужденных кристаллах ZnO /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Ч. 3.- Минск, 1985.- С. 91-92.

Полупроводниковые электроды для фотоэлектрохимических преобразователей солнечной энергии //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Ч. 1. Химические и биологические методы: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1985.- С 74-102.

Способ обнаружения дефектов в приповерхностном слое полупроводника /В. М. Арутюнян, В. О. Абовян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, В. Ш. Марукян, Ж. Р. Паносян //АС № 1384118. Приоритет от 26.11.1985 г. Не подл. опублик.

Способ электрожидкостной эпитаксии /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //АС № 1316426. Приоритет от 06.02.1985 г. Не подл. опублик.

Установка для исследований магниточувствительных структур в магнитном поле /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Установка для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, А. О. Аракелян, А. А. Погосян //АС № 1313010. Приоритет от 12.07.1985 г. Не подл. опубл.

Шумы в p+np+ - структурах из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, З. О. Мхитарян //Тезисы докладов IV Всесоюзной конференция "Флуктуационные явления в физических системах".- Пущино, 1985.- С. 38-39.

Экспериментальные наблюдения трансформации области с модулированной проводимостью в планарных магнитодиодах в магнитном поле /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Г. А. Егиазарян //Тезисы докладов IV симпозиума "Полупроводниковые магнитоуправляемые элементы и их применение".- Абовян, 1985.

Резонансное взаимодействие электромагнитного излучения с веществом: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян и др.- Ереван: ЕГУ, 1985.- 185 с.

Датчики потока электронов на основе p+nn+ структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1985.- Вып. 3.

Исследование возможности фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1985.- № 5.- С. 3-7.

Исследование керамических фотоанодов из рутила, легированного хромом /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. М. Степанян, А. А. Погосян, Э. А. Хачатурян //Электрохимия.- 1985.- Т. 21, № 2.- С. 261-265.

Исследование невырожденного четырехволнового обращения волнового фронта в трехуровневой резонансной среде /В. М. Арутюнян, А. Р. Арамян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1985.- Т. 20, № 3.- С. 139-146.

Исследование спектров поглощения и фотолиза сильнолегированного поликристаллического рутила /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, В. М. Аракелян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, А. Г. Саркисян, Г. А. Курбатов, К. К. Сидорин, Ю. В. Шмарцев //Известия АН АрмССР. Физика.- 1985.- Т. 20, № 2.- С. 96-102.

Наблюдение поверхностных электронно-дырочных конденсатов в монокристаллах ZnO /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Ученые записки ЕГУ.- 1985.- Вып. 2.- С. 148-150.

О природе нестационарного тока через границу раздела полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, Г. С. Борназян, Ж. Р. Паносян //Электрохимия.- 1985.- Т. 21, № 16.- С. 846-849.

Об отказе от «адиабатического приближения» при расчете шумов S-диодов /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Известия АН АрмССР. Физика. – 1985.- Т. 20, № 4.- С. 211-216.

Природа физических процессов в преобразователях солнечной энергии на переходе теллурид кадмия - электролит /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Физика и технология полупроводников.- 1985.- Т. 19, № 9.

Регистрация производной сигнала сканирующего зонда /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Д. К. Парсамян //Приборы и техника эксперимента.- 1985.- Вып. 3.

Установка для получения водорода электролизом воды за счет солнечной энергии /В. М. Арутюнян, Ю. В. Плесков, В. Н. Журавлева, А. Г. Пшеничников, А. В. Вартанян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1985.- № 4.

Электрофизические и фотоэлектрические свойства кремния, легированного серой /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, Б. О. Семерджян //Физика и техника полупроводников.- 1985.- Т. 19, вып. 12.

1986

Թվային միկրոէլեկտրոնիկայի պրակտիկում /Վ. Մ. Հարությունյան, Մ. Ռ. Միքայելյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1986.- 60 Էջ:

Ժամանակակից միկրոէլեկտրոնիկայի պրոբլեմները: Լիցքային կապով սարքեր /Վ. Մ. Հարությունյան, Ֆ. Վ. Գասպարյան.- Երևան: ՀԽՍՀ ԳԱ, 1986.- 159 Էջ:

Ֆոտոընդունիչներ. անցյալը, ներկան, ապագան /Վ. Մ. Հարությունյան, Ֆ. Վ. Գասպարյան, Զ. Ն. Ադամյան.- Երևան: Հայաստան, 1986.- 230 Էջ:

Инжекционно-пролетные диоды /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян.- Ереван: ЕГУ, 1986.- 228 с.

Диодные структуры в системе n - JnAs - p - InAsi-xPx, полученные методом электрожидкостной эпитаксии /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковах гетероструктурах.- Минск, 1986.- С. 142-143.

Исследование pH - чувствительных ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. В. Айвазян //Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Аналитическое приборостроение. Методы и приборы для анализа жидких сред".- Тбилиси, 1986.

Микроэлектронный электрод сравнения на основе полевого транзистора /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. А. Варданян //Тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Аналитическое приборостроение. Методы и приборы для анализа жидких сред".- Тбилиси, 1986.

Обращение волнового фронта при четырехволновом взаимодействии: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.- Ерван: ЕГУ, 1986.- 160 с.

Полупроводниковый датчик для селективного определения компонентов в жидких средах /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян //АС № 1454073. Приоритет от 01.12.1986. Не подл. опублик.

Способ изготовления полупроводникового газочувствительного элемента /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, К. Р. Мовсесян, Г. В. Абовян //АС № 1421079. Приоритет от 30.05.1986. Не подл. опублик.

Способ изготовления полупроводниковых приборов с мелким р-п переходом /В. М. Арутюнян, Г. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Худавердян //Пол. решение. Приоритет от 09.06.1986.

Способ изготовления фотоэлектрода для фотоэлектрохимического преобразователя /В. М. Арутюнян, Т. Г. Вардапетян, А. В. Варданян //АС № 1396879. Приоритет от 15.05.1986. Не подл. опублик.

Фотоэлектрохимическое преобразование солнечной энергии с помощью полупроводниковых электродов //Фотоприемники и фотопреобразователи: Сборник. - Лениниград: Наука, 1986.- С. 253-287.

Электролизер для фотолиза воды /В. М. Арутюнян, Я. М. Колотыркин и др. //АС № 1412373. Приоритет от 03.01.1986. Не подл. опубл.

Влияние экситонного поглощения на спектры фотопроводимости и фототока границы раздела ZnO - электролит /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян //Физика твердого тела.- 1986.- Т. 28, № 5.

Вольт-амперные характеристики варизонных структур с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Физика и технология полупроводников.- 1986.- Т. 20, № 5.

Двухфотонное изменение поляризации пикосекундных импульсов /В. М. Арутюнян, И. Г. Арутюнян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 3.- С. 160-162.

Исследование времен релаксации возбужденных уровней 3Р1/2,3/2 в плотных парах атомарного Na поляриметрическим методом /В. М. Арутюнян, А. Р. Арамян, С. П. Ишханян, А. А. Лалаян, Т. А. Папазян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 2.- С. 101-103.

Исследование неоднородностей в компенсированном кремнии методом сканирования лазерным лучом /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, М. А. Гукасян //Ученые записки ЕГУ.- 1986.- Вып. 1.- С. 87-90.

Исследование планарных магниточувствительных структур с помощью топограмм электрического поля /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, М. Г. Азарян, Г. А. Егиазарян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- 1986.- № 3.

Исследования поверхностных состояний на границе раздела полупроводниковых ZnO и TiO2 с электролитом /В. М. Арутюнян, Ж. Р. Паносян, А. Р. Маилян, Г. С. Борназян //Поверхность.- 1986.- Т. 4, № 2.- С. 93-99.

Исследование фотоанодов из модифицированного титаната стронция /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян, Э. В. Путнынь //Электрохимия.- 1986.- № 4.

Исследования шумов в приборах из кремния, компенсированного серой /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян //Известия вузов СССР. Радиофизика.- 1986.- Т. 29, № 8.- С. 984-988.

Лавинно-пролетный диод с варизонной областью умножения /В. М. Арутюнян, Л. Н. Григорян, С. Г. Петросян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1986.- Т. 21, № 3.- С. 134-139.

Оптические свойства двухфазной системы металл-диэлектрик Cu - ZnO /В. М. Арутюнян, К. Г. Бегоян, Ю. Г. Зарецкий, А. Г. Саркисян, Л. А. Тимохина, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев //Физика твердого тела.- 1986.- Т. 28, № 9.- С. 2707-2710.

Синтез и исследования системы TiO2 - MnO2 /В. М. Аракелян, В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. M. Степанян, В. Л. Элбакян //Ученые записки ЕГУ.- 1986.- Вып. 3.- С. 69-74.

Электрожидкостная эпитаксия: Новый подход к управлению составом эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений А3В5 /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян //Журнал технической физики.- 1986.- Т. 66, № 11.

Phenomena in silicon photodiodes doped with Zn and S /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamyan, R. S. Barsegyan, F. V. Gasparyan, M. H. Azaryan, B. O. Semerjian, Z. N. Mhitarian, S. V. Melkonyan //Infrared Physics.- Gr. Britain: Pergamon Press.- 1986.- 26, № 5.

1987

Биосовместимость некоторых материалов, применяемых в технологии микроэлектроники /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. Р. Мурадян //Микроэлектроника.- 1987.- Т. 16, № 6.

Биосовместимость некоторых материалов, применяемых в технологии микроэлектроники /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, А. Р. Мурадян //Тезисы докладов XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике.- Тбилиси, 1987.

Высокочувствительные кремниевые фотоприемники УФ и видимой части спектра /В. М. Арутюнян, А. Х. Авакян, Б. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Х. Худавердян //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1987.- № 6.

Влияние глубоких центров на вольт-емкостные характеристики границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.- С. 27.

Влияние освещения на релаксацию через структуру Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, В. Ш. Марукян, Р. Э. Саруханян, В. Л. Элбакян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Влияние поверхностных состояний на кинетику фототока на переходе полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, Т. А. Вартапетян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С.

Влияние состояния поверхности окисных фотоанодов на эффективность фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 227-228.

Исследование вольт-емкостных характеристик керамических электродов из легированной Ре2О3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 184-185.

Исследование вольт-емкостных характеристик керамических фотоэлектродов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян // Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Исследование свойств границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Исследование спектральных х зависимостей фототока и фотоемкости границы раздела CdTe - электролит /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 182-183.

Исследование твердых растворов In1-xGαxP в сильных электрических полях /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, А. И. Ваганян, Г. Е. Григорян, А. Б. Димаксян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1987.- Т. 22, № 3.- С. 166-170.

Исследование чувствительности пленок двуокиси олова к парам ацетона /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян //Межвузовский сборник. Микроэлектроника и промышленная электроника.- Ереван, 1987.

К теории низкочастотного шума в полупроводниках /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Кремниевые коротковолновые фотоприемники с мелким p - n переходом /В. М. Арутюнян, А. Х. Авакян, Г. К. Берберян, С. В. Минасян, С. Х. Худавердян //Тезисы докладов XII Всесоюзной конференции по микроэлектроники: Ч. 1.- Тбилиси, 1987.

Материал чувствительного элемента датчика газов на основе керамики /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, В. Г. Осипян, П. Б. Авакян //АС № 1508751. Приоритет от 24.07.1987. Не подл. опублик.

Микроэлектронные первичные преобразователи концентрации ионов на основе ионоселективных полевых транзисторов (ИСПТ) /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. Х. Авагян, А. В. Айвазян //Тезисы докладов XII Всесоюзной конференции по микроэлектроники: Ч. 1.- Тбилиси: Изд. Тбил. ГУ, 1987.

Примесные фотоприемники на основе кремния, легированного серойР. С. Барсегян, Б. О. Семерджян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Поверхностные экситоны в кристаллах окиси цинка /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, Ж. Р. Паносян, В. А. Меликсетян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Получение и исследование некоторых физических свойств кристаллов JnSe /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Р. С. Барсегян, Г. Е. Григорян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Получение методом электрожидкостной эпитаксии p - n структур в системе JnAs/JnAsi-xPx и исследование их диодных характеристик /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Спектральные характеристики фоточувствительности варизонных структур с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Тезисы докладов XIII Всесоюзного совещания по теории полупроводников.- Ереван, 1987.

Способ изготовления полупроводникового анода для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, А. А. Андреев, А. Р. Маилян, Б. Т. Мелех, А. А. Погосян, Ю. Н. Филин, А. Г. Саркисян //АС № 1480366. Приоритет от 31.03.1987. Не подл. опублик.

Фотовольтанический эффект в варизонных полупроводниках в условиях двойной инжекции /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Фотоемкостный метод исследования границы раздела полупроводник-электролит /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян, А. Б. Димаксян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Фотоэлектрические свойства границы раздела Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, В. Ш. Марукян, А. З. Петросян //Межвузовский сборник. Физика.- Ереван.- 1987.- Вып. 7.

Экситонный механизм фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 213-214.

Эффективный фотоанод из CdTe для фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии /В. М. Арутюнян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии, 13-16 апреля, 1987, г. Ленинград: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1987.- С. 180-181.

Нелинейные оптические взаимодействия: Сборник научных трудов /Редкол.: В. М. Арутюнян (ред.) и др.- Ереван: ЕГУ, 1987.- 194 с.

Влияние аденозина гуаниловых нуклеотидов, агонистов β-адрено-рецепторов и блокаторов H2-гистаминорецепторов на активность гистаминчевствительной аденилациклазы париентальных клеток желудка крысы /В. М. Арутюнян, В. Т. Ивашкин, Г. А. Минасян, О. Г. Агеева, Т. Л. Коничева //Доклады АН АрмССР.- 1987.- Т. 85, № 4.- С. 184-188.

Влияние ионов натрия, калия, кальция, магния, марганца и анионов фтора на активность гистаминчувствительной аденилатциклазы париетальных клеток желудка крысы /В. М. Арутюнян, В. Т. Ивашкин, Г. А. Минасян, О. Г. Агеева, Т. Л. Коничева //Доклады АН АрмССР.- 1987.- Т. 85, № 3.- С. 133-136.

Влияние механической обработки поверхности на фотоэлектрохимические свойства электродов /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1987.- № 4.

Использование возобновляемых источников энергии за рубежом //Физика низких температур.- Киев.- 1987.- Т. 13, № 6.

Исследование полупроводниковых свойств высокотемпературных сверхпроводников /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Г. А. Варданян, Р. С. Акопян, Э. В. Путнынь //Промышленность, строительство и архитектура Армении.- 1987.- № 11.

Многофотонные и спиновые эффекты на границе двух сред /В. М. Арутюнян, С. Г. Оганесян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1987.- Т. 22, № 6.- С. 320-326.

Переход полупроводник-электролит: фундаментальные исследования и перспективы внедрения //Физика низких температур.- Киев.- 1987.- Т. 13, № 6.

Перспективный фотоанод для фотоэлектролиза воды /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргагрян, С. А. Мкртчян, А. Г. Меликджанян, К. О. Довлетов //Ученые записки ЕГУ.- 1987.- № 3.

Шумы в структурах с двойной инжекцией из полупроводников, компенсированных однозарядными центрами /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Радиотехника и электроника.- 1987.- Т. 32, № 2.

Capacitance - voltage characteristics of doped Fe2O3 ceramic electrodes /V. M. Aroutiounyan, A. G. Sarkissian, G. E. Shakhnazaryan, J. A. Terner //XIII International Conference on Photochemistry: Abstracts.- Budapest.- 1987.- Vol. 2.- P. 700.

Capacitance-voltage characteristics of doped Fe2O3 ceramic electrodes //Journal electrochemical society.- 1987.- Vol. 134, N 3.- P. 144.

Photoelectochemical conversion of solar energy by use of the exciton absorption /V. M. Aroutiounyan, A. R. Mailian, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, J. R. Panossian, A. A. Pogossian //Journal electrochemical society.- 1987.- 134, № 3.

Studies on the modified TiO2 and ZnO semiconducting photoelectrodes /V. M. Aroutiounyan, A. G. Sarkissian, V. M. Arakelyan, V. L. Elbakyan, R. S. Hakopyan, G. M. Stepanyan //XIII International Conference on Photochemistry: Abstracts.- Budapest.- 1987.- Vol. 2.

1988

Датчик для определения концентрации паров ацетона /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //АС № 156989. Приоритет от 19.09.1988. Не подл. опублик.

Исследование электропроводности легированной Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян, В. М. Аракелян, А. Г. Саркисян //Ученые записки ЕГУ.- 1988.- Вып. 2.- 63-67.

Микроэлектронные первичные преобразователи для контроля загрязнения окружающей среды /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //Тезисы докладов первой Всесоюзной научно-технической конференции "Системный анализ и управление в задачах рационального природопользования и охраны окружающей среды" 21-25 марта Цахкадзор.- Ереван: Изд-во АН АрмССР, 1988.

Низкочастотные шумы в кремнии с примесью никеля /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Р. С. Барсегян, С. В. Минасян //Ученые записки ЕГУ.- 1988.- Вып. 2.

Оптическое возбуждение поверхностных состояний на CdTe, приводящее к инверсии спектральной зависимости фототока через границу раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Ж. Р. Паносян, А. А. Погосян //XI Всесоюзная конференция по физике полупроводников.- Кишинев, 1988.

Предметный столик для электронного микроскопа /В. М. Арутюнян, К. В. Авакян, Ф. В. Гаспарян, В. Ш. Марукян //АС № 1636895. Приоритет от 01.02.1988. Не подл. опублик.

Способ получения полупроводниковых структур на основе твердых растворов А3В5 из раствора - расплава /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //АС № 1575586. Приоритет от 19.07.1988. Не подл. опублик.

Температурная зависимость 1/f шума в компенсированных кремниевых структурах /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Флуктуационные явления в физических системах: V Всесоюзная конференция Паланга.- Вильнюс, 1988.

Фотодиоды с мелким p - n переходом для цифрового преобразователя угла /В. М. Арутюнян, Г. М. Берберян, П. Г. Габриелян //Всесоюзное совешания "Фотоэлектрические преобразователи угловых или линейных перемещений".- Ереван, 1988.

Влияние глубоких центров на вольт-емкостные характеристики границы раздела полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркися, Г. Э. Шахназарян //Электрохимия.- 1988.- Т. 24, № 4.- С. 515-521.

Индуцированное изменение поляризации УКИ света в парах натрия /В. М. Арутюнян, С. П. Ишханян, Т. А. Папазян, А. С. Петросян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 5.- С. 256-260.

Исследование ионоселективных транзисторов /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, К. С. Карапетян, А. Х. Авагян, А. В. Айвазян //Микроэлектроника.- 1988.- Т. 17, № 2.

Исследование фотоанодов, изготовленных из частично восстановленного оксида цинка /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Акопян //Электрохимия.- 1988.- Т. 24, № 9.

Исследование эффекта протекания в случайно-неоднородной системе Cu-ZnO /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, К. Г. Бегоян, А. Р. Маилян, М. А. Мнацаканян, М. Р. Микаелян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 3.- С. 145-149.

Оптическая ориентация и выстраивание атомных систем 1/2-1/2 и 1-0 в поле насыщающей эллиптически поляризованной волны /В. М. Арутюнян, Г. Г. Адонц, Д. Г. Акопян, К. В. Арутюнян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 6.- С. 333-338.

Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура /В. М. Арутюнян, Р. С. Барсегян, Г. Е. Григорян, Б. О. Семерджян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 2.- С. 99-105.

Пространственно-временная эволюция ультракоротких импульсов света при комбинационном рассеянии /В. М. Арутюнян, Н. Ш. Баданян, А. А. Чахмахчян, Н. В. Шахназарян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 1.- С. 3-8.

Шум 1/f в компенсированных кремниевых структурах /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Известия ВУЗов СССР. Радиофизика.- 1988.- Т. 31, № 12.- С. 1541-1543.

Шумовые характеристики p+-n-p+ мезапланарных структур из кремния, компенсированного цинком /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, З. Н. Адамян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1988.- Т. 23, № 3.- С. 149-155.

On the theory of 1/f noise in the middle and far infrared photodetectors /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. V. Melkonyan /Proceeding IV International Conference Infrared Physics.- Zürich, 1988.

1989

Ֆիզիկայի խնդիրների և հարցերի ժողովածու: Բուհ ընդունվողների համար /Վ. Մ. Հարությունյան, Գ. Բ. Ալավերդյան, Ա. Հ. Գրիգորյան, Ա. Հ. Մակարյան, Ս. Գ. Պետրոսյան, Ա. Վ. Սարգսյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1989.- 106 Էջ:

Влияние легирующих добавок на характер образования фаз и сверхпроводящие свойства керамики Bi - Ca - Sr - Cu - O /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский, В. Л. Элбакян, В. П. Слдоян, Г. М. Степанян, Э. А. Хачатурян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по высокотемперной сверхпроводимости: Т. 3.- Киев, 1989.

Газочувствительные датчики на основе ферритов висмута /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //Химические сенсоры-89. Всесоюзная конференция: Т. 2.- Лениниград, 1989.

Датчик для определения концентрации паров бензина /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян, В. Г. Осипян, М. Д. Нерсесян //АС № 1641086. Приоритет от 19.06.1989. Не подл. опублик.

Исследование вольт-амперных характеристик системы Si - SiO2 - электролит /В. М. Арутюнян, В. Ш. Марукян, А. К. Аревян, А. З. Петросян //Микроэлектроника.- 1989.- Т. 18, № 1.

Исследование сверхпроводящих свойств Bi - Sr - Ca - Cux - Oy /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян, Р. С. Вартанян, Э. Л. Игнатян //Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по высокотемперной сверхпроводимости: Т. 3.- Киев, 1989.

Исследование фотоэлектрохимических характеристик границы раздела Sr TiO3 / электролит /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Г. Лоренц //Электрохимия.- 1989.- Т. 25, № 1.

Кремниевые фотоприемники /В. М. Арутюнян, Ф. Г. Гаспарян, З. Н. Адамян.- Ереван: Изд-во Ерев. ун-та, 1989.- 362 с.

Кремниевые фотоприемники ультрафиолетового диапазона /В. М. Арутюнян, К. Г. Берберян, С. В. Минасян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Некоторые исследования по теории двойной и лавинной инжекции в полупроводниках //Диссертация, предс. на соиск. уч. степени к. ф.- м. н. Автореферат к ней (28 c.).- Ереван: ЕГУ, 1969.- 196 с.

О низкотемпературных спектрах люминесценций кристаллов ZnO в области экситонного резонанса /В. М. Арутюнян, A. Л. Маргарян //Физика твердого тела.- 1989.- Т. 31, № 11.- С. 263-266.

О сверхпроводимости при температурах выше 100 К в системе Bi - Ca - Sr - Cu- O /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Акопян, Р. С. Вартанян, Э. В. Путнынь, Н. М. Добровольский, С. Г. Геворкян //Письма в журнал технической физики.- 1989.- Т. 49, № 2.

Очувствление полупроводников приповерхностным полем, возникающим при контакте с электролитом /В. М. Арутюнян, С. Х. Варданян, А. Л. Маргарян //Физика и техника полупроводников.- 1989.- Т. 23, вып. 11.- 2062-2064.

Получение и исследование некоторых электрофизических свойств моноселенида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Г. E. Григорян //Ученые записки ЕГУ.- 1989.- Вып. 3.- С. 65-68.

Рентгеночувствительность моноселенида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, В. Л. Элбакян, Г. Е. Григорян //Физика и техника полупроводников.- 1989.- Т. 23, вып. 3.- С. 505-507.

Сборник задач и вопросов по физике для поступающих в вузы /В. М. Арутюнян, Г. В. Алавердян, А. Г. Григорян, А. Г. Макарян, С. Г. Петросян, С. В. Саркисян.- Ереван: ЕГУ, 1989.- 116 с.

Система Bi2WO6 - Bi4V2O11 в области субсолидуса /В. М. Арутюнян, Л. М. Савченко, В. Л. Элбакян, В. Г. Осипян //Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1989.- Т. 25, № 12.

Состояние гормональной регуляции кальциевого обмена при периодической болезни /В. М. Арутюнян, Г. А. Григорян //Доклады АН АрмССР.- 1989.- Т. 88, № 4.- С. 185-188.

Способ определения неэффективности переноса заряда в фоточувствительных приборах с зарядовой связью с реверсивным переносом заряда /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //АС № 1688750. Приоритет от 03.06.1989. Не подл. опублик.

Тонкопленочный датчик дыма /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, З. Н. Адамян, А. С. Погосян, А. А. Погосян //Электронная техника. Тезисы докладов конференции.- 1989.- Серия 5, Вып. 1(300).

Тонкопленочные фотоприемники на основе InAs - InP /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Тонкопленочный химический сенсор на основе Fe2O3 /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //Датчики на основе технологии микроэлектроники.- Москва: Изд. Знание, 1989.

Ферриты висмута - новые материалы чувствительного элемента датчиков газов /В. М. Арутюнян, Г. В. Абовян, А. С. Погосян, С. О. Мкртчян, П. Б. Авакян, В. Г. Осипьянц, М. Д. Нерсесян, И. П. Боровинская.- Черноголовка: Изд АН СССР. Ин-т структурной макрокинетики, 1989.- 28 с.

Физические свойства границы полупроводник-электролит //Успехи физических наук.- 1989.- Т. 158, № 6.- С. 255-291.

Фотоэлектрические явления на границе раздела электролит - высокотемпературная сверхпроводящая керамика /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Р. С. Вартанян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян //Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Сборник.- Ташкент, 1989.

Avalanche multiplication in the graded bandgap structures /V. M. Aroutiounyan, S. G. Petrosyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Photo-capacitive spectroscopy of sulfur atoms and heat treatment defects in n - Si ˂S˃ /V. M. Aroutiounyan, A. R. Akhoyan, R. S. Barsegyan, B. O. Semerjian //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, N 7.

Photoelectric properties of p+nn+ silicon structures doped with selen /V. M. Aroutiounyan, R. S. Barsegyan, G. E. Grigoryan, V. A. Mhikyan, B. O. Semerjian //Procceding IV International Conference Infrared Physics.- Zürich, 1988..- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Silicon plates homogenity diagnostics method by means of semiconductor - electrolyte structure surface photovoltage measurements /V. M. Aroutiounyan, A. O. Arakelyan, A. K. Arevyan, M. S. Kazaryan, V. A. Meliksetyan, V. L. Elbakyan //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, 7.

Solar to Hydrogen / Solar to Electricity conversion studies in Armenia //Procceding 1st. World Congress of Armenian Engangs, Scientists and Industrials.- California: F. A. Printing, 1989.

The noise spectroscopy of defects and impurities in compensated silicon /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamyan, Z. H. Mkhitaryan //Sci.- Techn. Publ. Lichtenstein Solid - State Phenomena.- 1989.- Vol. 6, N 7.

Theory of 1/f noise in medium and far infrared photodetectors /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. V. Melkonyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Photoresponse pecularities of variable - gap p+nn+ diodes /V. M. Aroutiounyan, S. G. Petrosyan //Procceding IV International Conference Infrared Physics Zürich, 1988.- Infrared Physics- 1989.- Vol. 29, N 2-4.

Surface excitons in ZnO - crystals /V. M. Aroutiounyan, A. L. Margaryan, Zh. R. Panossian, V. A. Meliksetyan //Journal Physics: Condens. Matter.- 1989.- Vol. 1, N 5.

1990

Влияние легирующих добавок на характер образования фаз и сверхпроводящие свойства висмутовой керамики /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, Р. С. Вартанян, А. Р. Маилян, В. Л. Элбакян, К. Г. Бегоян, Н. М. Добровольский, И. Ю. Павлова //Сверхпроводимость: физика, химия, техника.- 1990.- № 9.

Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян //Физика и технология полупроводников.- 1990.- Т. 24, вып. 1.- С. 203-206.

Газоанализатор /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Г. В. Абовян, А. А. Погосян, К. Р. Мовсисян //АС № 1730913. Приоритет от 12.06.1990. Не подл. опублик.

Газочувствительные датчики на основе ферритов висмута /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян, П. Б. Авакян, С. О. Мкртчян //Журнал аналитческой химии.- 1990.- Т. 45, № 7.

Исследование сверхпроводящих переходов висмутовых керамик в магнитных полях до 80 кЭ /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян, Р. С. Акопян, Н. М. Добровольский //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 5.- С. 271-274.

К анализу деградации заряда при переносе в ПЗС-фотоприемниках/В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 2.- С. 65-69.

К анализу неоднородности фоточувствительности матричных фотоприемных приборов с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Известия АН АрмССР. Серия техн. наук.- 1990.- Т. 43, № 4.- С. 173-177.

Методика диагоностики однородности полупроводниковых материалов путем измерения конденсаторной приповерхностной фотоэдс структуры полупроводник - электролит /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. К. Аревян, М. С. Казарян, В. А. Меликсетян, В. Л. Элбакян //VII Международная конференция по микроэлектронике: Тезисы докладов.- Минск.- 1990.- Т. 1.

Микроэлектронные химические сенсоры /В. М. Арутюнян, С. О. Мкртчян, П. Б. Авакян, А. С. Погосян, Г. В. Абовян //VII Международная конференция по микроэлектронике: Тезисы докладов.- Минск.- 1990.- Т. 1.

Низкочастотные шумы в кремнии с примесью селена /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян //Известия ВУЗов СССР. Радиофизика.- 1990.- Т. 33, № 10.- С. 1195-1196.

О влиянии разброса величины внутреннего квантового выхода на неоднородность фоточувствительности приборов с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов, С. Х. Худавердян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 3.- С. 145-148.

Получение и исследование электрофизических свойств кристаллов монотеллурида галлия /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, Г. Е. Григорян //Известия АН СССР. Неорганические материалы.- 1990.- Т. 26, № 5.

Потери заряда при предельных скоростях переноса в приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, А. А. Карагёзов //Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.- Москва: Изд. Ин-та "Электроника", 1990.- Вып. 3 (206).

Разброс фоточувствительности в фотоприемных приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, A. A. Карагёзов //Ученые записки ЕГУ.- 1990.- Вып. 2.- С. 70-73.

Термогенрация заряда в трехфазных фотоприемных приборах с зарядовой связью /В. М. Арутюнян, A. A. Карагёзов //Ученые записки ЕГУ.- 1990.- Вып. 3.- С. 45-49.

Фоточувствительные структуры на основе кремния с глубокими центрами, облученные потоками быстрых электронов /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Р. С. Барсегян, О. С. Семерджян, Р. А. Мелконян //Известия АН АрмССР. Физика.- 1990.- Т. 25, № 1.- С. 51-58.

Bismuth Ferrites Gas Sensors/V. M. Aroutiounyan, A. G. Pogossyan, H. V. Abovyan, S. O. Mkrtchyan, P. B. Avakyan //Eurosensors IV. Karlsruhe.- Abstracts.- 1990.- P. 4. 6. 10.

1991

Влияние продольного и поперечного электрических полей на фотоэлектрохимические свойства полуповодников /В. М. Арутюнян, С. Х. Варданян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Р. Э. Саруханян //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1991.

Исследование фотоэлектрохимических характеристик фотоанодов и фотокатодов на основе монокристаллического и поликристаллического InP /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, В. В. Меликян, Э. А. Хачатрян, Э. Л. Игнатян //Всесоюзная конференция по фотоэлектрохимии и фотокатализу.- Минск, 1991.

Исследования шумов в p - n - n+ структурах из компенсированного двойными акцепторами полупроводника /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, Ф. В. Гаспарян, С. В. Мелконян //Известия ВУЗов. Радиофизика.- 1991.- Т. 34, № 10-12.- С. 1226-1236.

Микроэлектронные технологии - магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров //Микроэлектроника.- 1991.- Т. 20, № 4.

Оптические явления в полупроводниковых фотокатализаторах и возможности их применения //Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Сборник научных трудов.- Новосибирск: Наука, 1991.- С. 228-294.

Фотоэлектрохимические характеристики фотокатодов на основе иттрий - бариевой керамики /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Э. В. Путнынь, В. М. Аракелян, К. Г. Бегоян //Всесоюзная конференция по фотоэлектрохимии и фотокатализу.- Минск, 1991.

Diagnostics of effects from the noise spectra /V. M. Aroutiounyan, F. V. Gasparyan, S. K. Melkonyan //Solid - State Phenomena.- 1991.- Vol. 19, N 20.

J.Bismuth Ferrites Gas Sensors/V. M. Aroutiounyan, A. G. Pogossyan, H. V. Abovyan, S. O. Mkrtchyan, P. B. Avakyan //Sensors and Actuators B 4.- 1991.

Silicon ultraviolet photodetectors /V. M. Aroutiounyan, G. K. Berberian //Eurosensors V.- Abstracts.- Rome, 1991.

1992

Пути преобразования солнечной энергии : (Обзор).- Ереван, 1992.- 44 с.

Химические сенсоры (Обзор).- Ереван: Лрату, 1992.- 50 с.

О возможности обнаружения поверхностных состояний из спектров фотопроводимости /В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Р. Э. Саруханян //Физика и техника полупроводников.- 1992.- Т. 26, вып. 3.- С. 550-553.

Current - voltage response of electrochemical photosensors /V. M. Aroutiounyan, H. V. Abovyan, P. B. Avakyan, A. S. Pogossian, S. H. Mkrtchian //4 th International meeting on Chem. Sensors.- Tokyo, 1992.- Abstracts.

Photoelectrochemical conversion of solar energy by InSe, GaSe and CuInSe2 crystals /V. M. Aroutiounyan, M. L. Dimaksian, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, S. Kh. Vardnian //9 th International Conference Photoelectrochem. Conversion and Storage of Solar Energy. Beijing (Cina).- Abstracts.- 1992.

1993

Влияние поверхностного потенциала на физические процессы в фотоэлектрохимических преобразователях солнечной энергии /В. М. Арутюнян, А. Л. Маркарян, В. А. Меликсетян //Гелиотехника.- Ташкент.- 1993.- Т. 29, № 6.

Влияние электронного облучения на сверхпроводящие свойства керамики /В. М. Арутюнян, С. К. Никогосян, А. А. Саакян, Г. Н. Ерицян, А. Г. Саркисян //Сверхпроводимость.- 1993.- Т. 6, № 7.

Особенности структуры полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Письма в журнал технической физики.- 1993.- Т. 19, № 21.- С. 44-48.

Свойства и возможности применения структуры полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Доклады НАН Армении.- 1993.- Т. 94, № 4.- С. 243-248.

Current - voltage response of electrochemical photosensors: Sensors and Actuators B.- 1993.- Vol.13, N 14.

Fe2O3 - based thin film petrol - vapour sensor //Eurosensor VII.- Budapest, 1993.

Gas response of semiconductor sensors //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. B.

Gas response of semiconductor sensors //Eurosensors VII. Budapest (Hungary).- Abstracts.- 1993.

High sensitive smoke sensor operated at room temperature /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Chemical Sensors.- 1993.- V. 9, Suppl. 8; 5 th Int. Meet. Chem. Sensors, Rome, Italy, 1994.- Abstracts.

La AlO3 - CaTiO3 - solid solution - a new gas - sensitive material /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamian, A. A. Barsegyan, M. S. Pogossian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. 8.

Optical gas sensor with photoelectric detector in feedback circuit /V. M. Aroutiounyan, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. 8.

Solar - hydrogen conversion studies and systems in the Republic of Armenia //New Energy Systems and Conversions Ed. T. Ohta and T. Homma Acad. Press Tokyo, 1993.

Smoke - detector signal processing circuits /V. M. Aroutiounyan, Z. N. Adamian, A. A. Barsegyan, M. S. Pogossian //Chemical Sensors.- 1993.- Vol. 9, Suppl. B.

1994

Исследование квантовой эффективности керамических фотоэлектродов из легированного Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. В. Шахназарян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Дж. А. Тернер //Электрохимия.- 1994.- Т. 30, № 5.

О возможности наблюдения релаксационных колебаний в структуре полупроводник - зазор - полупроводник /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Физика твердого тела.- 1994.- Т. 36, № 5.- С. 1513-1516.

О люминесценции пористого кремния и его новых применениях //Europ. Mater. Res Conf. Strassburg.- France, 1994.

Об особенностях внутригранульных характеристик после электронного облучения керамики YBa2Cu2,99Na0,01Ox /В. М. Арутюнян, С. К. Никогосян, А. А. Саакян, Г. Н. Ерицян, А. Г. Саркисян //Известия НАН РА. Физика.- 1994.- Т. 29, № 6.- С. 239-245.

Применение новой разновидности электрожидкостной эпитаксии для выращивания пленок InSbAsBi и диодных гетероструктур на их основе /В. М. Арутюнян, В. А. Геворкян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 1994.- Т. 29, № 3.- С. 94-100.

A new high sensitive material for smoke sensors operated without heating element /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Procceding 5 th International Meeting on Chemical Sensors Rome, 1994.

A new type gas sensor on the basis of semiconductor - cleft - semiconductor structure /V. M. Aroutiounyan, Kh. V. Nerkararian //Procceding 5 th International meeting on Chemical Sensors Rome.- Italy.- 1994.- Vol. 1.

Optical beam double auto balance gas sensors /V. M. Aroutiounyan, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Procceding 5th International meeting on Chemical Sensors Rome.- Italy.- 1994.- Vol. 2.

Selective petrol vapour sensor based on an Fe2O3 thin films /V. M. Aroutiounyan, A. S. Pogossian, H. V. Abovyan //Sensors and Actuators.- 1994.- B 18, № 1-3.

The influence of exciton field dissociation on the efficiency of photoelectrochemical production of hydrogen /V. M. Aroutiounyan, S. K. Vardanyan, H. L. Margarian, V. A. Meliksetian, R. E. Sarukhanian //International Journal Hydrogen Energy.- 1994.- Vol. 19, № 3.

1995

Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ: Ուսումնական ձեռնարկ.- Երևան: ԵՊՀ, 1995.- 270 Էջ:

Двойная инжекция в структуру с пористым кремнием //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 4.- С. 229-235.

Исследование квантовой эффективности полупроводниковых фотоэлектродов Fe2O3 /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян, А. Г. Саркисян, В. М. Аракелян, Дж. А. Тернер //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 1.- С. 39-43.

О люминесценции пористого кремния и его новых применениях //Доклады НАН РА.- 1995.- Т. 95, № 3.- С. 151-155.

Оптический волновод с подвижными границами на основе структуры кристалл - зазор - кристалл /В. М. Арутюнян, Х. В. Неркарарян //Письма в журнал технической физики.- 1995.- Т. 21, № 16.

Optical beam double auto balance gas sensors /V. M. Aroutiounyan, Kh. V. Nerkararian, B. O. Semerjian, Z. N. Adamian //Sensors and Actuators B 24-25, 1995.

Solar - hydrogen conversion studies and systems in the Republic of Armenia //Procceding International Conference HYPOTHESIS, pt.1.- Italy, 1995.

Transport phenomena atthe semiconductor - electrolyte and semiconductor - gas interfaces //Report N AUA/ERC - 7 - 95/02.- Yerevan, 1995.

Smoke - detector: //US Patent № 5382341 jan. 17, 1995. Приоритет от 10.09.1992.

1996

ԳԲՀ կիսահաղորդչային սարքեր: 2 մաս /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1996.- 445 Էջ:

Կիսահաղորդչային սարքեր /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան: ԵՊՀ, 1996.- 244 էջ

Исследование микроэлектронных сенсоров влажности на основе тонких пленок сложных окислов /В. М. Арутюнян, А. С. Погосян //Известия НАН РА. Физика.- 1996.- Т. 31, № 3.- С. 100-114.

К вопросу о фотопроводимости n+-n-n+- структур на основе кремния, легированного цинком /В. М. Арутюнян, Ю. А. Абрамян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика Известия НАН РА. Физика.- Т. 31, № 1.- С. 33-40.

Получение и исследование полупроводниковых многокомпонентных тонких пленок /В. М. Арутюнян, А. Т. Дарбасян, А. Л. Кесоян, А. Л. Маргарян //Известия НАН РА. Физика.- 1996.- Т. 31, № 5.- С. 202-208.

1997

Инжекционная электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 1.- С. 35-43.

К теории адсорбции газа полупроводником /В. М. Арутюнян, Г. С. Агабабян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 2.- С. 91-99.

К чувствительности поверхностного СВЧ импеданса ВТСП пленок к оптическому возбуждению /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 6.- С. 310-312.

Низкочастотные шумы в образцах кремния с примесью цинка /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 1997.- Т. 32, № 4.- С. 192-200.

1998

Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 1.- С. 22-30.

Малосигнальный анализ инжекционно-пролетных диодов с квантовыми ямами /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, С. Г. Петросян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 5.- С. 241-248.

О модельном представлении физических процессов в пористых полупроводниках /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 6.- С. 284-291.

Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si ˂Zn˃ /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 1998.- Т. 33, № 3.- С. 132-140.

Электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда /В. М. Арутюнян, К. Б. Матевосян //Доклады НАН Армении.- 1998.- Т. 98, № 1.- С. 53-57.

1999

Новый подход к проблеме повышения эффективности солнечных элементов /В. М. Арутюнян, Ю. А. Абрамян, В. И. Сераго, И. Д. Анисимова, В. И. Стафеев, Г. Г. Карамян,Г. А. Мартоян, А. А. Мурадян //Известия НАН РА. Физика.- 1999.- Т. 34, № 5.- С. 282-290.

Модель формирования пористой матрицы /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Доклады НАН РА.- 2000.- Т. 100, № 2.- С. 134-142.

2000

Особенности оптического поглощения и фотолюминесценции пористого кремния /В. М. Арутюнян, А. Г. Алексанян, А. С. Еремян //Известия НАН РА. Физика.- 2000.- Т. 35, № 4.- С. 187-195.

2001

Адсорбционный детектор дыма на основе тонкопленочного сенсора из металлооксидного полупроводника /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 2.- С. 88-93.

Исследование возможности подавления влияния влажности при адсорбции дыма на поверхности полупроводника /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 1.- С. 32-43.

К теории перколяционных эффектов в пористом кремнии /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36.- С. 81-87.

Механизмы проводимости в пористом кремнии /В. М. Арутюнян, М. Ж. Гулинян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 6.- С. 338-345.

Физические процессы в солнечных элементах с внутренним тянущим полем /В. М. Арутюнян, Ф. В. Гаспарян, В. В. Буниатян //Известия НАН РА. Физика.- 2001.- Т. 36, № 4.- С. 210-218.

2002

Влияние светового излучения на поверхностное сцепление нематического жидкого кристалла, контактирующего с полупроводниковой подложкой /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, Н. В. Табирян //Известия НАН РА. Физика.- 2002.- Т. 37, № 6.- С. 354-363.

Исследование мембран эритроцитов больных семейной средиземноморской лихорадкой с применением методического подхода двухкоординатной экстракции /В. М. Арутюнян, А. М. Седракян, А. И. Оганисян, А. Ш. Абрамян, А. А. Арутюнян, Г. С. Акопян, К. Г. Карагезян //Доклады НАН РА.- 2002.- Т. 102, № 2.- С. 159-165.

2003

Влияние интерфейсного слоя границы раздела полупроводник-жидкий кристалл на ориентационные эффекты /В. М. Арутюнян, А. О. Аракелян, А. Л. Маргарян, В. А. Меликсетян, С. Р. Нерсисян, Н. В. Табирян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 2.- С. 97-107.

К теории 1/f-флуктуации решеточной подвижности носителей тока в однородных полупроводниках /В. М. Арутюнян, С. В. Мелконян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 1.- С. 29-35.

Спектральные характеристики модифицированных фотоэлектродов на основе TiO2 и SrTiO3 /В. М. Арутюнян, А. Г. Саркисян, Дж. А. Тернер, Г. Э. Шахназарян, В. М. Аракелян, Е. Г. Заргарян, К. Г. Бегоян //Известия НАН РА. Физика.- 2003.- Т. 38, № 3.- С. 163-172.

2004

Вольт-амперные характеристики структур с пористым кремнием в электролите /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, А. З. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2004.- Т. 39, № 3.- С. 173-177.

Модель переноса тока в микроструктурах карбидкремниевой керамики /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, М. Г. Траваджян, Л. А. Микаелян, П. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2004.- Т. 39, № 6.- С. 389-397.

2005

Вольт-амперные характеристики и температурные зависимости тока образцов из кремния со слоем пористого кремния в электролите /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, А. С. Степанян, Х. С. Мартиросян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 1.- С. 43-48.

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки /В. М. Арутюнян, В. В. Буниатян, Л. А. Микаелян, Ваз. В. Буниатян, П. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 2.- С. 133-139.

Емкостный метод определения параметров пористого кремния /В. М. Арутюнян, А. З. Адамян, З. Н. Адамян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- 40. № 4.- С. 270-277.

Пондеромоторный сенсор наномасштабных сил и перемещений /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян, Г. А. Мнацаканян //Известия НАН РА. Физика.- 2005.- Т. 40, № 6.- С. 433-439.

2006

Автоматизированная система для исследования спектральных зависимостей оптических и фотоэлектрических характеристик полупроводников /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, А. Л. Кесоян //Известия НАН РА. Физика.- 2006.- Т. 41, № 4.- С. 296-301.

О возможности создания режима ближнего поля для наноисследований в электронике /В. М. Арутюнян, М. Г. Азарян //Доклады НАН РА.- 2006.- Т. 106, № 4.- С. 319-326.

2007

Вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния при адсорбции моноокиси углерода /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян //Известия НАН РА. Физика.- 2007.- Т. 42, № 4.- С. 236-241.

О возможности проведения дистанционного научного эксперимента в режиме реального времени с использованием сети Интернет /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, А. Л. Кесоян, Дж. Лопез //Доклады НАН РА.- 2007.- Т. 107, № 2.- С. 132-139.

Термоэлектрические свойства твердого раствора Pb0.22Sn0.78TeGe /В. М. Арутюнян, А. И. Ваганян, Е. М. Багиян, А. О. Епремян, В. К. Абраамян //Известия НАН РА. Физика.- 2007.- Т. 42, № 2.- С. 96-102.

2008

Գերբարձր հաճախականային կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի հիմունքներ։ Ուսումնական ձեռնարկ /Վ. Մ. Հարությունյան, Վ. Վ. Բունիաթյան.- Երևան, ԵՊՀ հրատ., 2008.- 286 էջ:

Применение пористого кремния для двух- и трехслойных антиотражающих покрытий для кремниевых фотовольтаических преобразователей /В. М. Арутюнян, Х. С. Мартиросян, А. С. Оганнисян, П. Г. Сукиасян //Известия НАН РА. Физика.- 2008.- Т. 43, № 2.- С. 111-119.

Шумы в пористых кремниевых структурах в воздухе и в условиях газовой адсорбции /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, А. А. Шатверян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2008.- Т. 43, № 3.- С. 204-210.

Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics Center of Semiconductor Devices and Nanotechnologies //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 227-228.

Double-layer diamond-like carbon antireflection coatings for GaAs solar cells /V. M. Aroutiounyan, A. S. Hovhannisyan, Kh. S. Martirosyan P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 74-77.

Investigation of glucose sensitivity of porous silicon /V. M. Aroutiounyan, A. S. Hovhannisyan, Kh. S. Martirosyan, V. E. Galstyan //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 38-42.

Manufacture and investigation of hydrogen sensitive TiO2-x OR ZnOAl film-porous silicon devices /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, V. E. Galstyan, Kh. S. Martirosyan, P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 3.- PP. 219-226.

Shape transition of strain-induced inassbp islands at liquid-phase epitaxy on InAs (100) SUBSTRATE: From pyramid to semiglobe /V. M. Aroutiounyan, K. Gambaryan, A. Simonian, Torsten Boeck //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 3.- PP. 208-218.

The liquid phase epitaxy of self–assembled InAsSbP–based strain induced islands on InAs substrates and their evolution from pyramids to quantum dots /V. M. Aroutiounyan. K. M. Gambaryan. T. Boeck, M. Schulze, P. G. Soukiassian //Armenian Journal of Physics.- 2008.- Vol. 1, N 1.- PP. 28-37.

2009

Միկրոէլեկտրոնիկայի ֆիզիկական հիմունքներ.- Երևան: ԵՊՀ հրատ., 2009.- 342 էջ:

Влияние дополнительного электрического поля на двулучепреломление нематического жидкого кристалла /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, Н. В. Каманина, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян, Д. К. Похсрарян //Известия НАН РА. Физика.- 2009.- Т. 44, № 6.- С. 433-443.

Исследование характеристик жидкокристаллических электрически-управляемых фазовых пластинок /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, В. Г. Бабаджанян, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян, А. Т. Погосян, Д. К. Похсрарян //Известия НАН РА. Физика.- 2009.- Т. 44, № 2.- С. 124-132.

Investigations in the field of solar cells at yerevan state university //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- PP. 237-251.

Improvement and stabilization of thin-film hydrogen sensors parameters /V. M. Aroutiounyan, A. Z. Adamyan, Z. N. Adamyan, K. D. Schierbaum, S. D. Han //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- PP. 200-212.

Melist Movsessian //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, N 3.- P. 252.

Nucleation mechanism of strain-induced inassbp quantum dots and pits at liquid phase epitaxy on InAs (100) substrate /V. M. Aroutiounyan, K. M. Gambaryan, N. G. Alaverdyan, A. K. Simonyan //Armenian Journal of Physics.- 2009.- Vol. 2, № 4.- PP. 268-273.

2010

Газовый сенсор на основе наноразмерной пленки In2O3:Ga2O3 /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, А. З. Адамян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2010.- Т. 45, № 6.- С. 447-455.

Улучшение времени включения жидкокристаллического фазового модулятора с помощью дополнительного управляющего напряжения /В. М. Арутюнян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, А. Л. Маргарян, Д. Л. Оганесян //Известия НАН РА. Физика.- 2010.- Т. 45, № 6.- С. 429-439.

Influence of reduction in heat of adsorption of gas on noise in gas sensors /V. M. Aroutiounyan, V. G. Paremuzyan //Armenian Journal of Physics.- 2010.- Vol. 3, N 2.- PP. 131-137.

2011

Gas monitoring system /V. M. Aroutiounyan, D. Pokhsraryan H. Chilingaryan //Armenian Journal of Physics.- 2010.- Vol. 3, N 1.- PP. 78-81.

Исследование газового сенсора на основе пленки In2O3:Ga2O3 /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2011.- Т. 46, № 2.- С. 132-143.

Сенсорные свойства структур со слоем пористого кремния /В. М. Арутюнян, З. О. Мхитарян, Ш. А. Гегамян //Известия НАН РА. Физика.- 2011.- Т. 46, № 3.- С. 210-216.

Investigation of Hydrogen Sensor Made of Zno Thin Film /V. M. Aroutiounyan, V. E. Galstyan, V. M. Arakelyan, G. E. Shahnazaryan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 160-165.

Manufacture of cnt/sno2 tube gas sensor made by sol-gel method /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, E. A. Khachaturyan, G. E. Shahnazaryan, M. S. Aleksanyan, K. M. Gambaryan, E. Horvath, R. Smajda //Armenian Journal of Physics.- 2011.- Vol. 4, N 4.- PP. 206-210.

2012

Особенности конкурирующего зародышеобразования квантовых точек и нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C /В. М. Арутюнян, А. К. Симонян, Л. Г. Мовсесян //Известия НАН РА. Физика.- 2012.- Т. 47, № 4.- С. 265-276.

Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырехкомпонентных InAsSbP наноструктур /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, И. Г. Арутюнян, М. С. Казарян //Известия НАН РА. Физика.- 2012.- Т. 47, № 3.- С. 193-200.

GaAsSbP quasiternary material system: nanostructures growth features and immiscibility analysis /V. M. Aroutiounyan, K. M. Gambaryan, A. K. Simonyan //Armenian Journal of Physics.- 2012.- Vol. 5, N 3.- PP. 156-163.

Re-circulating chillers for the Laboratory //Armenian Journal of Physics.- 2012.- Vol. 5, N 3.- P. 164.

Theory of gas sensor made of field-effect transistor with nanotubes /V. M. Aroutiounyan, B. V. Mnatsakanyan //Armenian Journal of Physics.- Vol. 5, N 1.- PP. 15-20.

2013

Газовые сенсоры на основе многослойнных углеродных нанотрубок, модифицированных двуокисью олова /В. М. Арутюнян, В. М. Аракелян, М. С. Алексанян, Р. В. Оганесян, Г. Э. Шахназарян, К. Эрнади, З. Немет, Л. Форро //Известия НАН РА. Физика.- 2013.- Т. 48, № 4.- С. 266-276.

Оствальдовское созревание при наноинженерии сферических и эллипсоидальных квантовых точек InAsSbP на поверхности InAs(100) /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, П. Г. Сукиассиан, Т. Боек, Я. Шмидтбауэр, Р. Бансен //Известия НАН РА. Физика.- 2013.- Т. 48, № 1.- С. 55-62.

Band Gap Opening in Graphene //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 3.- PP. 141-148.

BaxSr1-x TiO3/pc-Si heterojunction /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan, C. Huck, A. Poghossian, M. J. Schoening //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 4.- PP. 177-187.

BaxSr1-x TiO3/pc-Si heterojunction capacitance /V. M. Aroutiounyan, V. V. Buniatyan, C. Huck, A. Poghossian, M. J. Schoening //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 4.- PP. 188-197.

Enlarging the surface area of monolayer graphene synthesized by mechanical exfoliation /V. M. Aroutiounyan, G. Sh. Shmavonyan, G. G. Sevoyan //Armenian Journal of Physics.- 2013.- Vol. 6, N 1.- PP. 1-6.

2014

Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов /В. М. Арутюнян, Г. Ш. Шмавонян, О. А. Задоян, К. М. Гамбарян, А. М. Задоян //Известия НАН РА. Физика.- 2014.- Т. 49, № 6.- С. 393-399.

Статические и шумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров /В. М. Арутюнян, Р. В. Оганесян, Г. Д. Хондкарян, М. С. Алексанян, В. М. Аракелян, Б. О. Семерджян, Ф. В. Гаспарян //Известия НАН РА. Физика.- 2014.- Т. 49, № 4.- С. 241-251.

2015

Влияние влажности на запрещенную зону графена /В. М. Арутюнян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 3.- С. 350-356.

Газовые сенсоры на основе декорированных углеродных нанотрубок //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 4.- С. 448-475.

Управление излучением в среднем ИК диапазоне длин волн с помощью жидкокристаллической фазовой решетки /В. М. Арутюнян, Д. Л. Оганесян, А. Л. Маргарян, Н. Г. Акопян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин //Известия НАН РА. Физика.- 2015.- Т. 50, № 1.- С. 74-84.

2016

Исследование нанокомпозитных толстопленочных сенсоров паров бутанола /В. М. Арутюнян, З. Н. Адамян, А. Г. Саюнц, Э. А. Хачатрян //Известия НАН РА. Физика.- 2016.- Т. 51, № 2.- С. 192-201.

2017

Запись геометрических фазовых элементов на основе жидкокристаллических полимеров /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. К. Абрамян, Д. Л. Оганесян, Н. Г. Акопян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин //Известия НАН РА. Физика.- 2017.- Т. 52, № 3.- С. 353-360.

Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP / /В. М. Арутюнян, В. Г. Арутюнян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2017.- Т. 52, № 1.- С. 60-67.

Sensor for Detection of Chemical Agents Made of Co-Doped SnO2 /V. M. Aroutiounyan, V. M. Arakelyan, M. S. Aleksanyan, A. G. Sayunts, G. E. Shahnazaryan, M. Vrnata, P. Fitl, J. Viček, K. S. Gharajyan, H. S. Kasparyan //Armenian Journal of Physics.- 2017.- Vol. 10, N 3.- PP. 122-127.

2018

Создание и исследование фотовольтаических преобразователей на основе поликристаллического кремния, выращенного на боросиликатном стекле /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. Г. Арутюнян, T. Boeck, R. Bansen, C. Ehlers //Известия НАН РА. Физика.- 2018.- Т. 53, № 4.- С. 468-476.

Conductometric sensor for hydrogen peroxide vapors detection /V. M. Aroutiounyan, G. H. Shahkhatuni, V. M. Arakelyan, M. S. Aleksanyan, G. E. Shahnazaryan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 153-159.

Flexible Gas Detector /V. M. Aroutiounyan, V. Kirakosyan /V. M. Aroutiounyan, V. Kirakosyan //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 3.- PP. 160-165.

Hydrogen Peroxide Solid-State Sensors (Review Article) //Armenian Journal of Physics.- 2018.- Vol. 11, N 1.- PP. 39-60.

2019

Исследование сенсора на основе ZnO:La для детектирования паров перекиси водорода методом импедансной спектроскопии /В. М. Арутюнян, Г. А. Шахатуни, В. М. Аракелян, М. С. Алексанян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 2.- С. 253-262.

Исследование сенсоров паров перекиси водорода, изготовленных на основе углеродных нанотрубок, покрытых наночастицами двуокиси олова /В. М. Аракелян, З. Н. Адамян, А. Г. Саюнц, Э. А. Хачатурян, В. М. Арутюнян, B. Joost //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 1.- С. 75-84.

Медицинская диагностика с использованием микроэлектронных полупроводниковых газовых сенсоров //Доклады НАН РА.- 2019.- Т. 119, № 3.- С. 265-273.

Металоксидные наносенсоры изготовленные из полупроводниковых метал оксидов //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 4.- С. 485-501.

Метод оптической записи упорядоченных микроструктур на основе жидкокристаллического полимера /В. М. Арутюнян, А. Л. Маргарян, В. К. Абрамян, Н. Г. Акопян, П. К. Гаспарян, В. В. Беляев, А. С. Соломатин, Д. Н. Чаусов //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 1.- С. 36-43.

Механизм зародышеобразования и расчет полной энергии наноструктур в материальной системе CdTe-ZnTe-HgTe /В. М. Арутюнян, А. К. Симонян, К. М. Гамбарян, М. К. Гамбарян, Г. А. Аветисян //Известия НАН РА. Физика.- 2019.- Т. 54, № 4.- С. 478-484.

Энергия формирования собственных и примесных дефектов диоксида олова /В. М. Арутюнян, А. А. Унанян, М. A. Агамалян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.– 2019.- Т. 54, № 3.- С. 378-383.

Semiconductor Gas Sensors Using Arduino Nano /V. M. Aroutiounyan, A. Hovhannisyan //Armenian Journal of Physics.- 2019.- Vol. 12, N 4.- PP. 325-328.

2020

Влияние ультрафиолетовых лучей на вольт-емкостную характеристику SnO2:Co сенсора паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, А. А. Закарян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.– 2020.- Т. 55, № 2.- С. 218-227.

Газовые сенсоры из оксида цинка //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 4.- С. 501-518.

Датчики ацетона из двуокиси олова //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 325-342.

Исследования взаимодействия H2O2 с поверхностью SnO2 (110) из первых принципов /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, А. А. Унанян, А. Г. Саюнц, М. С. Алексанян, А. А. Закарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 358-365.

Исследование сенсора для обнаружения паров перекиси водорода под действием ультрафиолетового излучения /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, А. А. Унанян, А. Г. Саюнц, М. С. Алексанян, А. А. Закарян, В. М. Аракелян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 3.- С. 312-324.

Материальная система CdTe–ZnTe–HgTe: анализ смешиваемости твердых растворов /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, А. К. Симонян, М. К. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2020.- Т. 55, № 4.- С. 519-526.

Microelectronic Gas Sensors for Non-invasive Analysis of Exhaled Gases //Medical Science of Armenia.- 2020.- Vol. 60, N 1.- PP. 3-15.

2021

Геометрические особенности и численный анализ трансформации поверхности микро- и наноструктур состава InAsSbP при зародышеобразовании из жидкой фазы /В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 208-217.

Влияние ультрафиолетовых лучей на чувствительность сенсора для обнаружения паров ацетона //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 172-183.

Исследование чувствительности к сжиженному нефтяному газу SnO2 пленки /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 218-227.

Исследования характеристик сенсора для обнаружения низких концентраций аммиака /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г.; Саюнц, Г. А. Шахатуни, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 4.- С. 526-533.

Неинвазивные металоксидные сенсоры на выдыхаемый диабетиком ацетон //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 2.- С. 184-207.

Полупроводниковые датчики перекиси водорода //Известия НАН РА. Физика.- 2021.- Т. 56, № 4.- С. 494-523.

Cobalt Doped SnO2 Thin Film for Detection of Vapor Phase Hydrogen Peroxide //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 8-18.

Information about Artificially Intelligent Nanoarray for Detection of Various Diseases in Nanomedicine //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 3.- PP. 148-150.

Single Wall Carbon Nanotube Gas Sensors //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 74-84.

Study of MWCNT / SnO2/Ru thick-film sensors for detecting thepresence of certain harmful gases in air //Armenian Journal of Physics.- 2021.- Vol. 14, N 1.- PP. 49-73.

2022

Адсорбция пероксида водорода на двумерных халькогенидах переходных металлов /В. М. Арутюнян, М. A. Агамалян, Е. Ш. Мамасахлисов, Е. В. Суханова, А. Г. Квашнин, З. И. Попов, А. А. Захарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 248-253.

Газовые и био-сенсоры из оксидов металлов, легированных углеродными нанотрубками //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 1.- С. 76-108.

Гибкий SnO2/МСУНТ сенсор для обнаружения низких концентраций паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, З. Г. Симонян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 194-203.

Использование в медицине полупроводниковых сенсоров газов, изготовленных из наноматериалов //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 3.- С. 386-401.

Исследование импедансных характеристик наноструктурного ZnO сенсора паров перекиси водорода /В. М. Арутюнян, Г. Э. Шахназарян,Г. А. Шахатуни, М. С. Алексанян, З. Г. Симонян, А. Г. Саюнц //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 3.- С. 374-385.

О нанотераностике и анализе дыхания пациентов с раковой опухолью //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 288-305.

Об не-инвазивных измерениях глюкозы //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 4.- С. 595-611.

Применение наноструктурной пленки Fe2O3:ZnO для обнаружения водорода /В. М. Арутюнян, М. С. Алексанян, А. Г. Саюнц, Г. А. Шахатуни, З. Г. Симонян, Г. Э. Шахназарян //Известия НАН РА. Физика.- 2022.- Т. 57, № 2.- С. 204-211.

Exhaled Breath Semiconductor Sensors for Diagnostics of Respiratory Diseases //Armenian Journal of Physics.- 2022.- Vol. 15, N 1.- PP. 13-24.

Saliva Sensors //Armenian Journal of Physics.- 2022.- Vol. 15, N 4.- PP. 131-140.